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§7.4 半导体气敏器件 器件要求 器件形式 氧化物半导体气敏元件 表面电阻控制型气敏器件 烧结型气敏器件 体电阻控制型气敏器件 半导体气敏器件的参数 器件电阻R0： 温度和催化剂对器件的影响 温度与灵敏度 催化剂 常见陶瓷气敏元件 结构 半导体气敏二极管 MOSFET气敏器件 Pd栅MOSFET H2探测器 CO MOSFET检测器 差动式集成气敏MOS器件 超微粒多功能集成化气敏器件 应用 §7.5 半导体离子敏感器件 离子敏感器件由离子选择膜和转换器两部分构成，以场效应晶体管为转换器，以其绝缘栅及特制于绝缘栅上的膜为敏感膜，构成离子敏场效应管（ISFET）。 基本工作原理 能斯脱（Nernst）方程 工作原理 表面基模型 ISFET器件结构 敏感膜的类型 绝缘栅的作用： 敏感膜的类型 无机绝缘膜 固态膜 玻璃体膜 有机高分子膜 ISFET的参数 响应特性 阶跃响应特性与可逆特性 灵敏度S 响应时间 生物膜敏感器件 生物膜敏感器件（BIOFET）又称电化学敏感器件，其敏感膜由生物或生物体内的组织构成，主要包括酶、微生物、抗原/抗体、器官细胞等。 由于不同的酶仅对一种物质催化反应，因此其选择性很高。 目前已经研制成功的有：葡萄糖FET、青霉素FET、尿素FET、乙酰胆碱FET等多种器件。 多功能集成ISFET 离子与生物敏感器件在实际中的应用 医药学 血液、尿液、过敏反应 食品工业 鲜度、蛋白、氨基酸、葡萄糖、蔗糖、醋酸、细菌 环境监测 农药残留、酸雨、水体生物需氧量（BOD）、赤潮、水体毒素、 玻璃体膜也是一种非阻挡型离子交换膜。其基本结构为SiO2－Al2O3－M2O，M为碱金属，通称MAS膜。可以用加水分解或溅射法制备。其工作机理是MAS水解后析出M＋，其和溶液中的H＋通过离子交换产生界面电位。 主要薄膜有：NaAS、KAS、LiAS等 导电高分子膜属于液体离子交换膜。分均匀和不均匀两种。都是由基体、电活性物质和增塑剂组成。基体主要是聚氯乙稀（PVC），电活性物质随检测的离子种类而不同，增塑剂也就随之而异。三种材料按比例并加入溶剂混合均匀，涂覆或溅射到FET绝缘栅上。活性物质如是有机离子交换剂，将形成均匀膜，如是无机盐类，将形成非均匀膜。 主要薄膜有：K＋－ISFET、Ca＋－ISFET等 ISFET的电流或电压随待测溶液中离子活度而变化的对应关系。要求响应范围越宽越好，并具有良好的线性。 当溶液中的离子活度突然发生变化时，器件的输出是否能很快地变化到相应的值。 溶液中离子浓度从低到高和 从高到低变化时器件的响应特性如能重合，则器件是可逆的，否则为不可逆。 待测离子活度变化10倍时其界面电位的改变量为ISFET的灵敏度。 选择系数Kij 相同条件下，引起相同界面电位的待测离子活度和干扰离子活度之比。 电学响应时间：在一定离子活度下，固定VDS，从ISFET接触待测溶液开始，到IDS达到稳定值的95％所需的时间。 化学响应时间：在一定的偏置条件下，改变待测离子的活度αi，IDS达到稳定值的95％所需的时间。 气体的种类很多，其益处和危害性也不相同。识别气体成分，控制气体浓度，特别是易燃、易爆、有毒的气体的检测已成为科技和社会各领域日益迫切的需要，这就促进了气敏器件的研究。 早在40年代，人们就开始了以半导体材料气体吸附现象为中心的基础研究，到60年代，才进入实用化阶段，62年的ZnO、68年的SnO2等系列半导体气敏器件先后达到了实用化的阶段，并在煤矿、化工、冶金、石油等领域得到广泛的应用。 对于器件的要求，目前还不能完全满足，尤其是在选择性和稳定性上，有待于进一步提高。 ISFET与一般的MOSFET在结构上基本相同，只是没有金属栅电极，而是在绝缘栅上制作一层敏感膜。测试时绝缘栅膜与被测溶液直接接触，溶液中置有参比电极，构成栅极连接，加栅压后，实际上是以溶液和敏感膜代替了栅电极。 下图为测试电路。FET为共源连接，栅电压通过参比电极加到ISFET的栅极系统。在待测溶液和敏感膜的交界产生一定的界面电位，电位的大小和溶液中的离子活度有关，并遵循能斯脱（Nernst）方程。 基于气体的检测方法、所用的材料、器件的结构、控制方式和被检测气体的种类等，目前已经研制了数十种气体敏感器件，列于上表种。 所列材料包括基体、添加剂、电极和透过膜所用的材料。 所有这些材料可归属为电子传导体、离子传导体、绝缘体三类。氧化物半导体、有机半导体及金属属于电子传导体；电解质溶液、固体电解质、高分子电解质等属于离子传导体；不导电的氧化物、高分子材料属于绝缘体。 就器件的结构而言，在半导体气敏器件范围内有直热式、旁热式，有烧结体型、薄膜、厚膜型，还有二极管、MOSFET型，近年又提出超微粒