模拟电路线性第3章场安效应管.pptVIP

双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 三、表3.2 场效应管偏置电压的极性 二、饱和区(放大区，又称恒流区） 特点： ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 数学模型： 条件： 0VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 在饱和区，JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。 （3-2-3） 三、截止区 特点： 沟道全夹断的工作区。 条件： VGS VGS(off) IG≈0，ID=0 四、击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极PN结雪崩击穿。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V ? 造成 ID剧增。 VGS 越负? 则VGD 越负? 相应击穿电压V(BR)DS越小 击穿电压V(BR)DS： V(BR)DS＝VGS- V(BR)GD JFET转移特性曲线 同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID =0 时对应的VGS值? 夹断电压VGS（off） 。 VGS(off) ID/mA VGS /V 0 IDSS (N-JFET) ID/mA VGS /V 0 IDSS VGS(off) (P-JFET ) VGS=0 时对应的ID 值? 饱和漏电流IDSS。 1、转移特性 2、电流方程 ( VGS（off)VGS0 ) ( VDSVGS-VGS(off) ) 注意 P沟道管VGS≥0 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 3.主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。 JFET电路模型 VGS S D G ID IG?0 ID(VGS) + - gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - S ID G D （共源极） （直流电路模型） （小信号模型） 利用 得 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 JFET放大电路的小信号模型分析法 JFET放大电路的小信号模型分析法 （2）高频模型 一、场效应管放大电路的特点 1. 场效应管是电压控制元件； 2. 栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高； 3. 噪声小，受外界温度及辐射影响小； 4. 制造工艺简单，有利于大规模集成； 5. 跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。 6. 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 　总结： 二、表3.1 场效应管与晶体管的比较 较强（β较大） (β ≈20~100) 较弱（gm较小） (gm≈1~5mS) 控制能力 大 小 噪声系数 多子扩散 少子漂移 多子漂移 参与导电的载流子 电流输入控制 CCCS(β) 电压输入控制 VCCS(gm) 控制类型 b、e、c g、s、d 电极 晶体管 场效应管 C与E不可互换使用 D与S可互换使用 二、表3.1 场效应管与晶体管的比较 3.1.3 四种MOS场效应管比较：P113 电路符号及电流流向 S G U D ID S G U D ID U S G D ID S G U D ID N-EMOS N-DMOS P-DMOS P-EMOS 转移特性 ID VGS 0 VGS(th) ID VGS 0 VGS(th) ID VGS 0 VGS(th) ID VGS 0 VGS(th) 3.1.3 六种场效应