厚膜soi材料和sigeoi材料制备研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 厚膜S01材料和SiGeOI材料制备研究 程新利(微电子学与固体电子学) 指导老师：邹世昌院士张峰研究员 摘要 绝缘体上的硅(S01)材料以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照 器件和光电子学等方面都有广泛的应用，并且与成熟的硅工艺相兼容，是很有廊用前 景的光电集成用材料。SiGeOl材料同时具有SiGe材料和SOl材料的特点，具有电子 学和光子学的特点，近年来受到众多研究者的重视。由于自身的特点，高Ge浓度 SiGeOI材料制备存在着困难。本论文即围绕着是光通信厚膜SOl材料和高Ge组分 SiGeOl材料进行研究，对两种材料的制备进行了研究并开展了以下的工作。 在SIMOX技术基础上结合气相外延技术制各了厚膜SOl材料。在标准剂量的S01 衬底上生长了厚度约为81．tm的Si层，研究发现外延层和氧化埋层厚度均匀性良好， 外延层单晶性能良好，SOl衬底中缺陷导致了外延层中的缺陷。S01衬底顶层硅呈现 高阻状态，合适温度的退火可以明显降低SOl衬底顶层硅电阻率，也可部分减少外延 高阻过渡层厚度。外延后顶层si表面粗糙度明显降低。利用厚膜SOl材料成功制作 了波长1．55 p m时传输损耗系数约O．4dB／cm单模脊型波导。 研究了不同氧注入剂量衬底对外延层性能的影响，在标准剂量衬底上外延si层 中缺陷密度明显高于在低剂量衬底上的外延层。研究发现标准剂量SOl衬底中位错密 度比低剂量衬底中高两个数量级，表面粗糙度较大，顶层硅单晶质量也比低剂量衬底 差。减少注入剂量是获得良好外延层的一种可行方法。 研究了外延生长前高温氧处理的影响。在外延生长前对SOl衬底进行适当的高温 氢处理可以使表面得到改善，在经过高温氢处理的SOl衬底上生长的外延层中缺陷密 度明显减小，这是提高高剂量SOl衬底上外延硅层质量的有效方式。 本论文另一重要内容是制各高Ge浓度的弛豫SiGeOI材料。在标准剂量SOl衬 底减薄后外延生长了Ge组分为55％，应变弛豫约90％的SiGe层。经过高温氧化后 得到了Ge组分近60％且分布均匀的SiGeOl材料，SiGe层应变弛豫在90％以上。在 未经过减薄的SOl衬底上经过相似工艺后得到了Ge组分为55％且分布均匀的SiGeOI 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论支 摘 摘 要 材料，SiGe层应变弛豫约90％以上。在减薄SOl衬底上外延生长Ge浓度较低厚度 较厚SiGe层，然后氧化制备SiGeOl材料。研究发现多次氧化后SiGe层中Ge元素纵 向分布仍然呈梯度分布，没有形成Ge均匀分布的SiGeOI材料，而SiGe表面粗糙度 在长时间多次氧化后显著增加，说明该方法制备高Ge浓度SiGeOl材料存在1i足之处。 研究了在SiGe／SOI材料的SiGe层中注入H离子在高温热氧化制备SiGeOI材料 中的作用。发现H离子的注入减缓了SiGe层氧化速度，与未注入H的样品在相同条 件下氧化后得到了Ge浓度相同的SiGeOl材料，但剩余SiGe层厚度较厚，在氧化后 注入的H通过扩散离开了SiGe层，氧化后SiGe层单晶性能并没有因H的注入而变 尊． 关键词：厚膜绝缘体上的硅，绝缘体上的锗硅，注氧隔离，气相外延，氢 IT 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论丈 AbstractFabrication Abstract Fabrication and Investigation of thicker SOI films and SiGe0I materials Xinli Cheng(Mircroelectronics and Solid·state electronics) Directed by：Prof．Shichang Zoa Prof．Feng Zhang Abstract With its unique structure，silicon-on-insulator(S01)has been recognized as a promising materials for integrated circuits(1Cs)，where high speed and low power consumption are required．The SOI-based devices have been widely used in harsh environment，such as high temperature and radiation electronics in automotive，space and military application．Meanwhile，SOl may be used to fabricate the optical waveguide devices．I