光电技术课程设计容-023版.pptVIP

三、硅光电池光照度计实验步骤： 一）、调试注意事项 1、在调试过程中如果发生异常情况应立即关机断电，查明情况并纠正后再进行调试，以免造成不良后果，确保安全； 2、在调试过程中插拔任何器件之前，先断电，以免损坏元器件； 3、严禁将任何电源对地短路； 4、所有连接均在断电情况下操作。 二） 、调试准备 1、光电技术创新综合实验仪（带结构件）一台 2、硅光电池实验单元一块 3、示波器一台；4、万用表一块；5、电烙铁一台 6、焊锡丝若干 三）、调试说明 1、本说明书调试使用的光源为卤素灯，从实验仪主板上引出。 2、调试之前确保各接插件方向准确无误，元器件之间连接良好，杜绝虚连现象的发生。 3、调试工作务必认真仔细。 四）、调试步骤 1、电源单元调试 1) 将硅光电池实验模块插入主机箱体的插槽中。 2) 打开实验仪开关，测试主板上标有+5V，-5V接口对GND的电压是否分别为+5V和-5V，允许误差范围为±5%。 3)若2结论正确，打开硅光电池实验模块“电源”开关K1，观察指示灯LED1及LED2发光是否正常。 该处电路可能出现的问题： 　a、电解电容E1、E2极性弄错，焊接错误。 　b、贴片发光二极管LED1、LED2极性弄错，焊接错误。 　C、电路某处有短路。 2、特性实验调试 1）打开实验仪电源，调节照度计“调零”旋钮，至照度计显示为“000.0”为止，关闭实验仪电源； 2）J14连接GND，J1连硅光电池正极，J2连硅光电池负极，J6连J13。 3）卤素灯光源套筒红黑插孔分别与实验仪主板卤素灯供电0—12V1和GND1相连，0—12V1和GND1分别连接实验仪上电压表的正负插孔。 4）调节光照度调节电位器使光照强度为0，即照度计显示为0，按下开关K1和K2，同时保证其余开关都弹起。调节模块上的W1，使TP3电压为0； 5）调节光照度调节电位器改变光源光照强度，用示波器CH1和CH2分别观察TP1和TP2的电压，两点电压应随光照强度的增大而增大。 ３、简易照度计电路调试 1）打开实验仪电源，调节照度计“调零”旋钮，至照度计显示为“000.0”为止，关闭实验仪电源； 2）J5连J13，调节光照度调节电位器使光照强度为0，即照度计显示为0，按下开关K1和K3，同时保证其余开关都弹起。调节模块上的W1，使TP3电压为0； 3）调节光照度调节电位器改变光源光照强度，用示波器CH1和CH2分别观察J5和TP3的电压，两点电压应随光照强度的增大而增大。 2、光电池的特性参数 （1） 光照特性 光电池的光照特性，用入射光强-电流电压特性和入射光强-负载特性来描述。 入射光强-电流电压特性描述的是开路电压VOC和短开路电流ISC随入射光强变化的规律，如下图所示。 入射光强-电流电压特性描述的是开路电压VOC和短开路电流ISC随入射光强变化的规律，如下图所示。 VOC随入射光强按对数规律变化，ISC与入射光强成线性关系。 光电池用作探测器时，通常是以电流源形式使用，总要接负载电阻RL，这时电流记作 图3 光电池的入射光强-电流-负载特性曲线 与入射光强不再成线性关系， 越大，线性范围越小，如下图所示： 为光电池内阻。 入射光强-负载特性描述的是在相同照度下，输出电压、输出电流、输出功率随负载变化的规律。如下图所示： 当RL＜＜Rd时，可近似看做短路，输出电流为ISC，与入射光强成正比，RL越小，线性度越好，线性范围越大。 当RL为∞时，可近似看做开路，输出电压为VOC。 随着RL的变化，输出功率也变化，当 时，输出功率最大，RM称最佳负载。 2.2 光谱特性 光电池的光谱特性取决于所采用的材料。硒光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波长在540nm附近，它适宜于测量可见光。如果硒光电池与适当的滤光片配合，它的光谱灵敏度与人眼很接近，可用它客观的决定照度。 硅光电池可以应用的范围是400～1100nm。峰值波长在850nm附近。 　光电池的光谱峰值位置不仅与制造光电池的材料有关，也和制造工艺有关，并且随使用温度的不同而有所移动。 2.3 伏安特性 无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。曲线与电压轴交点称为开路电压VOC，与电流轴交点称为短路电流ISC。 图5给出了硅光电池的伏安特性曲线。它表示负载为电阻时，受光照射的硅光电池输出电压与电流的关系。负载的斜率由负载电阻决定，负载线与伏安特性曲线的交点M为工作点。负载电阻RL从硅光电池获得的最大功率为Pm＝Ｉm·Um。 图5 光电池的伏安特性曲线 二、硅光电池光照度计设计参考图 利用二次开发实验模块自行搭建电路，电路如图所示。 4）将硅光电池探头红黑插孔接到实验箱的光照度红黑插孔上。打开实验箱