第四章半留导体材料.pptVIP

* 第四章 半导体材料 半导体材料为信息时代的到来奠定了物质基础 1948年，肖克莱（Shockley）等发明晶体管，带来现代电子学革命，具有划时代意义。 1958年，集成电路问世。 1968年，硅大规模集成电路实现产业化，标志微电子学时代开始。30多年来，惊人发展。 1962年，半导体激光器问世，后来各种半导体光电器件问世。80年代，半导体激光器在光通信和光盘等方面大量应用，形成了光电子学。 国际上普遍认为，20世纪是微电子为基础的电子信息时代，21世纪则是微电子与光子技术结合的光子信息时代。从而对半导体材料提出越来越高的要求。 4-1 半导体基本概念 一、本征半导体 金属：非常多自由电子。平均每个原子一个电子。密度1022个/cm3。 绝缘体：几乎无自由电子。 半导体：介于两者之间，平均每1010-1013个原子一个自由电子，密度1012-1019个/cm3，室温电导率10-8-103(Ωcm)-1 半导体自由电子数较小，易通过外部电学作用控制其中电子的运动。所以比金属更适合做电子器件。 原子 半导体 导带 价带 1eV 原子形成固体，分立能级变成连续能带。 未掺杂半导体叫本征半导体。 本征半导体中每个原子四个价电子，恰好填满能带（价带）。上面未填充的能带为导带。中间禁带宽度约1eV。 以上是理想、绝对0度情况。 原子 半导体 导带 价带 1eV 当T升高，电子激发到导带，在价带留下空穴。在电场作用下，导带中电子和价带中空穴均导电，称为本征导电。 二、杂质半导体 当掺杂时，半导体导带上会有自由电子或价带上会有空穴。 主要靠电子导电的称为n型半导体； 主要靠空穴导电的称为p型半导体. n型半导体 Si四价，与周围原子组成四个价键 Si中掺5价P，P取代Si原子。4个价电子与Si组成共价键。第5个价电子多余，输送到导带上成为自由电子。导带中电子导电。 产生的自由电子浓度约等于杂质原子浓度（可控）。 P称为施主杂质，表示能给出一个价电子。 导带 施主 价带 导带 施主 价带 n型半导体 p型半导体 掺3价B。B取代Si，形成共价键，缺一个价电子。可以从价带上取得一个电子产生一个空穴。 导带 受主 价带 导带 受主 价带 B称为施主杂质，表示能得到一个价电子。 p型半导体 所以，掺杂可有意识地控制导电类型和载流子浓度。 导带 施主 价带 导带 受主 价带 p型半导体 n型半导体 以上杂质能级处于禁带中导带低或价带顶附近，故称为浅能级杂质 如果杂质或缺陷（C、O、N、Fe、Cu、Ag、Au等）及晶体缺陷（空位、位错），产生的能级往往在禁带中部，称为深能级。 深能级杂质一般是在材料生长、器件制造时无意带进的。 深能级杂质、缺陷可以捕获自由载流子，引起电子从导带到价带跃迁。必须避免。 但有时有用，如GaP中掺N发红光。 三、输运特性 在外电场下，半导体有电流，电流密度： 且与载流子浓度n、载流子有效质量m*和弛豫时间 有关： 导电性能 半导体中电子运动不同于真空。真空中服从牛顿定律，F=-eE=m0a。 m0—自由电子质量。半导体中电子于能带中受约束，也可以用牛顿定律描述运动。但m0要改成m*。不同半导体m*不同。 Si：m*=0.5m0；GaAs： m*=0.07m0 ——弛豫时间。电子经两次碰撞间的平均自由时间。 电子在运动时受杂质、缺陷碰撞而改变方向，形成阻力 半导体中空穴导电，实际上也是电子运动。电子依次填充空位，效果相当于一个正电粒子（空穴）运动。 四、光学性质 1、光吸收 适当波长的光照射半导体，电子吸收光子从价带跃迁到导带，而在价带中留下空穴，称为光吸收。 条件： 如果 ，光子不被吸收而透过晶体，晶体透明 红外 2、非平衡载流子 光发射 电子被光激发到导带而在价带中留下空穴，状态不稳定。由此产生的电子空穴对称为非平衡载流子。过一段时间，电子将跃迁回价带，同时发射一个光子，称为光发射。 光发射应用：半导体发光二极管、半导体激光器。但非平衡载流子不是由光激发产生，而由电子、空穴注入产生。 并非所有半导体都能发光。Si、Ge不发光。由能带结构决定。间接能带结构的半导体不发光。直接能带结构的半导体才发光。（发光材料一章介绍