第四章场嗨效应管.pptVIP

场效应管的分类 四 场效应三极管的型号 1.与双极型三极管相同： 第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅型场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 4.4场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 作业：2，3，5，7，8，10 0 ID UGS VT NMOS转移特性曲线 HOME 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。 衬底效应 若某些MOS管的源极不能处在电路的最低电位上，则其源极与衬底极不能相连，其间就会作用着负值的电压VUS,在负值衬底电压VUS作用下，P型硅衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷区中的负离子数增多。 可见， VUS和VGS一样，也具有对ID的控制作用，故又称衬底电极为背栅极，不过它的控制作用远比VGS小。 实际上， VUS对ID的影响集中反映在对VGS(th)的影响上。 VUS向负值方向增大， VGS(th)也就相应增大。因而，在VGS一定时， ID就减小。 但是由于VGS不变，即栅极上的正电荷量不变，因而反型层中的自由电子数就必然减小，从而引起沟道电阻增大，ID减小。 HOME 2.耗尽型特性曲线： 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VGSoff HOME 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 HOME 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) （1）直流参数 （2）交流参数 （3）极限参数 HOME 4.3 主要参数 表3-2 常用场效应三极管的参数 CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等。 场效应三极管的型号现行有两种命名方法： 2.第二种命名方法是CS××#： 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 即典型的Q点稳定电路 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 1. 场效应管的交流等效模型 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? * 第四章 4.1 结型场效应管原理及其伏安特性 4.2 绝缘栅型场效应管原理及伏安特性 4.3 主要参数 4.4 场效应管的基本放大电路 场效应管是利用电场效应来控制电流大小，与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET. 绝缘栅型场效应管MOS; 场效应管有两种: 引言： HOME 1.结构及符号 4.1 结型场效应管 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 HOME S源极 N P P G(栅极) D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S HOME S源极 P N N G(栅极) D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S HOME 2.工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 N G S D UDS=0 UGS N N P P ID PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 (1)、VDS=0，G、S加负电压： HOME N G S D UDS=0 UGS P P UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VGS,off）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID HOME N G S D UDS UGS=0 UGS=0且UDS0时耗尽区的形状 P P 越靠近漏端，PN结反压越大 ID (2)、VGS=0，D、S加正电压： HOME