道和能量.最流行等离子体源有反应离子刻.PDFVIP

道和能量. 最流行的等离子体源有 :反应离子刻 缺点是容易造成器件损伤. ( ) ( ) 蚀源 RIE 、电子回旋共振源 ECR 、感应耦合 在等离子体刻蚀加工中 , 由于能量离子、电 ( ) ( ) 等离子体源 ICP 和螺旋波 Helicon 源等. 这 子和光子轰击 ,会引起器件损伤 ,改变了器件的 里仅对抗 RIE 源的工作原理稍加说明. 图 3 是 机械和电性能 ,器件损伤有原子位移损伤、污染 RIE 源的结构简图. 频率为 1356MHz 的射频 损伤、载荷损伤和辐射损伤等. 如何有效地减小 和避免这些损伤 ,乃是微电子器件加工中的前 沿研究问题之一. 另外的前沿问题还有 :元件极 限尺寸 010μ m 的突破、尘埃污染、离子迟滞和 微负荷效应、小介电常数的电介质、静电夹头 ( ) 预防芯片加热变凸 、新的芯片半导体材料和 新封装工艺等的研究. 图3 　反应离子刻蚀原理图 参 考 文 献 [ 1 ] Burger R M , Glaze J A ,Seidel T. Solid State Technology , 电压加在两块平行电极上,样片放在阴极上 ,阳 1995 ,38 (2) :42 —46 极与反应器壁接地. 阴极面积小 ,而阳极面积 [ 2 ] Levenson D M. Solid State Technology , 1995 , 38 ( 9 ) : 大 ,形成非对称性辉光放电系统. 在等离子体区 81 —82 域与电极之间形成等离子体鞘层 ,小面积电极 [ 3 ] Langston J C ,Dao G T. Solid State Technology ,1995 :38 (3) :57 —60 一边具有大的鞘层电压 , 因此离子在阴极鞘层 [ 4 ] Maeda K et al . Proc SPIE ,1995 ,2438 :465 区域被加速. 高能量的离子垂直轰击样片靶面 , [ 5 ] 韩安云. 半导体情报 ,1998 ,35 (3) :1 —17 造成溅射 ,于是靶面被刻蚀. 离子对刻蚀起了主 [ 6 ] Chen F F. Phys. Plasmas ,1995 ,2 (6) :2164 —2175 要作用. 反应离子刻蚀以物理溅射为主 ,兼有中 [ 7 ] Flamm D L . He