第7章 英半导体存储器.pptVIP

第7章　半导体存储器 一：半导体存储器的特点 1.RAM的分类及特点 （1）双极型RAM：存取速度高，集成度低，功耗大，成本高 （2）MOS型静态RAM：集成度、功耗介于双极型RAM与动态RAM之间，不需要刷新 （3）MOS型动态RAM的特点：必须定时刷新，集成度高，功耗低，价格便宜2．ROM的分类及特点 （1）掩膜型ROM：厂家写入，用户只读。 （2）可编程PROM：用户可编程写入一次。 （3）紫外光擦除可编程EPROM：可多次擦写，擦除须用紫外光 （4）电可擦除的可编程EPROM(EPROM)：可用电信号多次擦写。 二：半导体存储器的技术指标 1．存储容量存储器容量（S）＝存储单元数（p）×数据位数（i）数据位数（i）一般等于芯片数据线的根数；而存储单元个数（p）与存储器芯片的地址线条数（k）有如下关系：p＝2k。2．存取速度存取速度用二个指标来衡量：存取时间和存储周期。存取时间是指从CPU给出有效的存储器地址来启动一次存储器读写操作，到该操作完成所经历的时间。存储周期则是指连续两次访问存储器之间所需的最小时间间隔。存储周期等于存取时间加上存储器的恢复时间。 7.2　CPU与存储器的连接 7.2.1　主存容量的扩展方法 所需片数＝需要扩展的容量/单片容量例如：某系统要增加8K×8的存储容量，若选用2114芯片（1K×4），则需要：（8K×8）/（1K×4）＝16片。 存储容量的位扩展 单个存储芯片字长就不能满足要求，这时就需要进行位扩展，以满足字长的要求。 位扩展的电路连接方法是：将每个存储芯片的地址线和控制线（包括选片信号线、读/写信号线等）全部同名接在一起，而将它们的数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。 存储容量的位扩展 存储容量的字扩展 字扩展是对存储器容量的扩展。 字扩展的电路连接方法是：将每个芯片的地址信号、数据信号和读/写信号等控制信号线同名全部接在一起，只将选片端分别引出到地址译码器的不同输出端，即用片选信号来区别各个芯片的地址。 存储容量的字扩展 存储容量的字位扩展 在构成一个实际的存储器时，往往需要同时进行位扩展和字扩展才能满足存储容量的需求。 内存扩展的次序一般是先进行位扩展，构成字长满足要求的内存模块，然后再用若干个这样的模块进行字扩展，使总容量满足要求。 例：用16×4位的芯片组成64×8位的存储器模块 ⑴ 译码和译码器 译码：将某个特定的“编码输入”翻译为唯一“有效输出”的过程 译码电路可以使用门电路组合逻辑 译码电路更多的是采用集成译码器 常用的2:4译码器：74LS139 常用的3:8译码器：74LS138 常用的4:16译码器：74LS154 通过译码控制，使得只有CPU发出的访问地址属于存储器芯片的地址范围时，它才能被选中。 8088与存储器连接实例 例7.1　8088系统工作于最小模式下时，用128K×8的SRAM芯片构成512K×8的存储体，要求该存储体地址占系统1M地址空间的低512K，画出数据线、地址线及有关控制信号的连接方法。 8086的存储器组织 8086与存储器的连接 存储芯片的位扩充 存储芯片的字扩充 * * 8086若存取一个字节的数据，可以用一个总线周期完成；若存取一个规则字，也可以用一个总线周期完成；但若存取一个非规则字，则必须用二个总线周期完成。