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集成电路应用 福州大学信通系 罗国新 课程教学目的: 《集成电路应用》是电子信息工程和通信工程专业重要的专业基础课。集成电路广泛应用于各类电子产品，重要性不言而喻。现代电子、电气工程技术人员必须具备应用集成电路的能力。 本课程为学生打下集成电路（特别是CMOS集成电路）应用的坚实基础。 通过课程教学，使学生掌握CMOS数字集成电路的特点及其应用。主要掌握当前广泛使用的74/HC/HCT系列CMOS集成电路、包括门电路、反相器、施密特触发器与非门等电路在振荡、整形、逻辑等方向的应用，掌握CMOS电路与TTL电路的区别，CMOS电路与TTL电路及非标准电路的接口，掌握锁相环的基本原理。能应用CD4046锁相环进行基本应用设计。 通过课程教学、使学生掌握应用集成电路的技巧，建立起设计应用型电路的正确思维方式，具备通过自学获取新知识的能力。 本课程是实践技能训练的一个重要教学环节 第一章：CMOS数字集成电路基础 集成电路可以按照不同的标准进行分类。如果根据功能分类，有数字集成电路和模拟集成电路之分；以组成集成电路的器件来划分，可分为双极型和MOS两大类。根据后一种划分方法，集成电路的分类情况如图1-1所示。 TTL 以高速著称。CMOS 以低功耗见长。 CMOS IC因为具有功耗低、输入阻抗高、噪声容限高、电源电压范围宽、输出电压幅度与电源电压接近、对称的传输延迟和跃迁时间等优点，发展极为迅速。 CMOS IC至今已经发展了四代。其性能与速度与TTL相比，差距大约是10个月。 高速CMOS集成电路的原理和结构 绝缘栅场效应管的结构： 如图所示，其中图1－2(a)为立体结构示意图，图(b)为平面结构示意图。 N沟道增强型MOSFET的转移特性如上图所示。其主要特点为： (1)当uGSUGSth时，iD=0。 (2)当uGS UGSth时， iD 0，uGS越大， iD也随之增大，二者符合平方律关系，如下式所示。 式中：UGSth——开启电压(或阈值电压)； μn——沟道电子运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； L——沟道长度(见图1－2(a))； W/L——MOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。 输出特性 N沟道增强型MOSFET的输出特性如图1－6所示。与结型场效应管的输出特性相似，它也分为恒流区、可变电阻区、截止区和击穿区。其特点为： (1)截止区：UGS≤UGSth，导电沟道未形成，iD=0 (2)恒流区： ·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。 ·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。 ·进入恒流区的条件，即预夹断条件为： 因为UGD=UGS-UDS，当UDS增大，使UGDUGSth时，靠近漏极的沟道被首先夹断(如图1－7所示)。此后， UDS再增大，电压的大部分将降落在夹断区(此处电阻大)，而对沟道的横向电场影响不大，沟道也从此基本恒定下来。所以随UDS的增大，iD增大很小，曲线从此进入恒流区。 ? 沟道调制系数λ。不同UGS对应的恒流区输出特性延长会交于一点(见图1--8)，该点电压称为厄尔利电压UA。定义沟道调制系数 来表达uDS对沟道及电流iD的影响。显然，曲线越平坦，|UA|越大，λ越小。 高速CMOS 54HC/74HC系列与4000系列各个器件的电路图完全相同，都是互补对称的电路结构，即逻辑器件基本上包含数量相同的P管和N管。例如由一个P管和一个N管组成的高速CMOS反相器，这是用氧化物隔离、自对准硅栅CMOS工艺制成的。 氧化物隔离、较浅的结深、较短的沟道长度和较小的栅覆盖电容，使高速CMOSIC寄生电容比金属栅CMOS减小了一半左右，两者的比较如图1—9所示。 图1－8：寄生电容之比较 高速CMOS IC较低的开启电压（典型值为0.7V）、较薄的栅氧化层和较短的沟道长度，使它的跨导比金属栅CMOS增长几乎四倍。再加上高速CMOS IC寄生电容比金属栅减小了一半左右，两者综合作用的效果使高速CMOS的开关速度达到金属栅CMOS的8～10倍。 Ids与沟道长度成反比，从4000系列的7μm栅长缩短至高速CMOS的3μm，有利于提高输出驱动电流。现在已经达到0.18μm。 CMOS工作原理 1. 电路结构及工作原理 CMOS反相器电路如图 (