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刻蚀、去PSG、镀膜段工作介绍 周延丰 目录 刻蚀、去PSG、镀膜的基本原理（简单介绍） 四十八所、七星清洗机、RothRau、Centrotherm设备（简单介绍） 各项工艺参数对结果的影响（重点介绍） 刻蚀、清洗、镀膜常见问题以及控制方法（重点介绍） 本段中的工艺关注点（重点） 工作中应该特别注意的细节（简单介绍） 工作流程，出现不合格的处理（简单介绍） 刻蚀的目的 刻蚀的反应 Si+CF4+O2→SiF4↑+ CO2↑ CF4----?CF3、CF2、CF、F、C以及他们的离子 气体组成：92%CF4+8%O2 刻蚀结果的检验 清洗的反应 清洗结果的检验 亲水 清洗前硅片表面Si大部分以O键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。 疏水 清洗后硅片最外层的Si几乎是以H键为终端结构，表面呈疏水性。 镀膜的基本原理 介质膜的种类及制备方法有多种，比如真空加热沉积、化学气相沉积、丝网印刷、溅射、电子束蒸发、离心甩胶甚至喷镀等等。 考虑到介质膜的质量及生产成本，最常用的减反介质膜是氮化硅和二氧化钛，前者主要采用化学气相沉积，而后者主要采用喷镀、化学气相沉积和丝网印刷。 镀膜的反应 SiH4+NH3—→SixNyHz+H2↑ 硅烷和氨气在微波激励下形成等离子体，在硅片表面沉积成氮化硅层 薄膜的检测 48所刻蚀机的介绍 主要用于多晶硅、氮化硅、二氧化硅薄膜的刻蚀，属干法腐蚀。利用高频辉光放电产生的活性基团与被腐蚀材料发生化学反应，形成挥发性产物使样品表面原子从晶格中脱落。 技术特点：1、采用大面积淋浴式送气方式使气体放电均匀 2、气路系统采用全金属密封，抗腐蚀性强，污染小 3、工作压力闭环自动控制，工艺稳定性、重复性好 4、手动/自动控制系统，方便操作、维修 5、敞开式钟罩开启方式，方便装片 七星清洗机的介绍 产品描述： 1.设备由六大部分组成：本体、清洗槽部分、伺服驱动系统、机械臂部分、 层流净化系统（选用）、电气控制系统、机架及机箱、自动配酸系统（选用）等组成 2.伺服多爪机械手传送系统，step方式 3.自动上/下料工位 4.关键件采用进口件。自动化程度高，可靠性高 5.人性化操作界面，方便直观。界面中有手动操作、故障报警、安全保护、工艺序号等功能。 主要指标： 产能：1800-2400片/小时（25MW-30MW生产线适用） 125mm×125mm和156mm×156mm方片兼容标准100片清洗花篮： 100片/批? RothRau的介绍 常压化学气相沉积（APCVD） 低压化学气相沉积（LPCVD） 等离子体化学气相沉积（PECVD） 等离子体类型：Direct等离子体和Romote等离子体 等离子激发频率：低频、射频、微波 反应室：管式与平板式 传输类型：batch方式和inline方式 RothRau的介绍 Direct：等离子体产生于两平行电极之间，晶圆被固定在一个电极上，在这种情况下，晶圆一般处于等离子体中。典型代表：Centrotherm，岛津。 Romote：晶圆处于等离子体以外。典型代表RothRau. RothRau的介绍 RothRau的介绍 RothRau的介绍 RothRau的介绍 RothRau的介绍 等离子体在化学气相沉积中有如下作用： ⑴将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度； ⑵加速反应物在基片表面的扩散作用（表面迁移作用），提高成膜速度； ⑶对于基体表面及膜层表面具有溅射清洗作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，从而加强了形成的薄膜和基片的附着力； ⑷由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均匀。 RothRau的介绍 PECVD和普通CVD比较有如下优点： ⑴可以低温成膜，对基体影响小，并可以避免高温成膜造成的膜层晶粒粗大以及膜层和基体间生成脆性相等问题； ⑵PECVD在较低的压强下进行，由于反应物中分子、原子、等离子粒团与电子之间的碰撞、散射、电离等作用，提高了膜厚及成分的均匀性，得到的薄膜针孔少、组织致密、内应力小、不易产生裂纹。 ⑶扩大了化学气相沉积的应用范围，特别是提供了在不同的基体上制取各种金属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜的可能性； ⑷薄膜对基体的附着力大于普通CVD。 Centrotherm的介绍 Centrotherm的介绍 Centrotherm的介绍 Centrotherm的介绍 CCC-RM ( Centrotherm Cell Controller – Recipe Management ) Writing / Modifying of the CESAR recipes Recipe pool for all recipes Administration an