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输运：载流子的净流动过程称为输运。 两种基本输运体制：漂移运动、扩散运动。 载流子的输运现象是最终确定半导体器件电流-电压特性的基础。 假设：虽然输运过程中有电子和空穴的净流动，但是热平衡状态不会受到干扰。 涵义：n、p、EF的关系没有变化。（输运过程中特定位置的载流子浓度不发生变化） 热运动的速度远远超过漂移或扩散速度。（外加作用，转化为一个平均的统计的效果） §3.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度：载流子在外加电场作用下的定向运动称为漂移运动，由载流子的漂移运动所形成的电流称为漂移电流。 欧姆定律： 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度： 漂移电流密度 载流子的散射 载流子散射的概念 载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。 在实际晶体中，存在各种晶格缺陷，晶格本身也不断进行着热振动，它们使实际晶格势场偏离理想的周期势，这相当于在严格的周期势场上叠加了附加的势。这个附加的势场作用于载流子，将改变载流子的运动状态，即引起载流子的“散射”。 半导体中电子和空穴的运动 晶格散射 晶格原子振动以格波来描述。格波能量量子化，格波能量变化以声子为单位。电子和晶格之间的作用相当于电子和声子的碰撞。 电离杂质散射 散射的影响 热平衡情况 散射使载流子的运动紊乱化。例如，假设某一时刻晶体中的某些载流子的速度具有某一相同的方向，在经过一段时间以后，由于碰撞，将使这些载流子的速度机会均等地分布在各个方向上。这里“紊乱化”是相对于“定向”而言的，与这些载流子具有沿某一方向的初始动量相比，散射使它们失去原有的定向运动动量，这种现象称为“动量驰豫”。在晶体中，载流子和晶格、缺陷之间的碰撞，进行得十分频繁，每秒大约发生1012—1013 次，因此这种驰豫过程所需的时间仅约10-12—10-13 秒，正是上述散射过程导致平衡分布的确定，在平衡分布中，载流子的总动量为零，在晶体中不存在电流。 有外场的情况 在晶体中存在电场时，电场的作用在于使载流子获得沿电场方向的动量（定向运动动量），每个载流子单位时间内由电场获得的定向运动动量为eE，但是由于散射，载流子的动量不会像在理想晶体中那样一直增加；它们一方面由电场获得定向运动动量，但另一方面又通过碰撞失去定向运动动量，在一定的电场强度下，平均来说，最终载流子只能保持确定的定向运动动量，这时，载流子由电场获得定向运动动量的速率与通过碰撞失去定向运动动量的速度保持平衡。 此时晶体中的载流子将在无规则热运动的基础上叠加一定的定向运动。 我们用有效质量来描述空穴的加速度与外力（电场力）之间的关系 v表示电场作用下的粒子速度（漂移速度，不包括热运动速度）。假设粒子的初始速度为0，则可以积分得到： 用гcp来表示在两次碰撞之间的平均漂移时间。 则在弱场下，电场所导致的定向漂移速度和热运动速度相比很小（~1%），因而加外场后空穴的平均漂移时间并没有明显变化。利用用平均漂移时间，可求得平均最大漂移速度为： 根据迁移率和速度以及电场的关系，知道： 典型半导体的载流子迁移率 在弱场下，主要的散射机制： 晶格散射，电离杂质散射 如图所示为不同掺杂浓度下，硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化关系示意图。从图中可见，在比较低的掺杂浓度下，电子的迁移率随温度的改变发生了十分明显的变化，这表明在低掺杂浓度的条件下，电子的迁移率主要受晶格振动散射的影响。 载流子在半导体晶体材料中运动时所受到的第二类散射机制是所谓的离化杂质电荷中心的库仑散射作用。单纯由离化杂质散射所决定的载流子迁移率随温度和总的掺杂浓度的变化关系为： 下图所示为室温（300K）条件下硅单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，载流子的迁移率发生明显的下降。 下图所示为室温（300K）条件下锗单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，锗材料中载流子的迁移率也发生明显的下降。 下图所示为室温（300K）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，砷化镓材料中载流子的迁移率同样也发生明显的下降。 假设τL是由于晶格振动散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生晶格振动散射的几率为dt /τL；同样，假设τI是由于离化杂质散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生离化杂质