第7章存储器2单011.pptVIP

* 第7章存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 *7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 存储器的分类 存储器的相关概念 基本存储单元 存储单元 存储矩阵 （1）基本存储单元存放1位二进制数据，称为1个“比特”。 （2）存储单元存放一组二进制数据，称为1个“字”。 “字”中所含的位数称为“字长”。 （3）存储矩阵存放所有二进制数据。 存储器的容量=字数（m）× 字长（n） X7 X6 1 0 0 1 X5 1 0 1 1 X4 X3 X2 X1 X0 位A 位B 位C 位D 位A 位B 位C 位D Y1 Y0 地址 64bit存储器结构 基本存储单元 存储单元 共有16个存储单元，即16个“字”，字长为4。称为16X4 存储矩阵 （1）每个存储器以“存储单元”为单位进行数据的读写。 （2）字长由存储器的数据线根数决定；（3）字数由存储器的地址线根数决定。 字数=2n （n为存储器地址线的根数，即地址代码的位数） 地址代码： 存储单元的编号 7.1 只读存储器 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 7.1.2 两维译码 该存储器的容量=? 7.1.3 可编程ROM 1、 掩膜 ROM 掩膜ROM通常采用MOS工艺制作。在芯片制造厂家生产时，根据用户提供的数据或程序采用二次光刻板的图形（掩膜）将其直接写入（固化），因此称为掩膜ROM。掩膜ROM中的内容制成后用户则不能修改，只能读出。 掩膜ROM的主要特点是： 存储的内容由制造厂家一次性写入，写入后便不能修改，灵活性差； 存储内容固定不变，可靠性高； 少量生产时造价较高，因而只适用于定型批量生产。 2、 可编程 ROM 可编程ROM便于用户根据自己的需要来写入特定的信息，根据存储矩阵中存储单元电路的结构不同，可编程ROM有PROM、EPROM和EEPROM等三种。 （1）可编程ROM（Programmable ROM，简称PROM） PROM的编程虽然是由用户而不是生产厂家完成，增加了灵活性，但编程是一次性的，且可靠性较差，目前已很少使用。 存储单元 （2）可擦可编程ROM（Erasable PROM，简称EPROM） EPROM作为一种可以多次擦除和重写的ROM，克服了掩膜ROM和PROM只能一次性写入的缺点，满足了实际工作中需要多次修改程序或数据的可能，前提条件是存储矩阵中现有的程序或数据必须首先擦除。 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口，当用一定波长(如2537A)一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除 EPROM的擦除和编程写入是采用专门的编程器设备 完成的。对于编程好的EPROM要用不透光 的胶纸将受光窗口封住，以保护芯片不受荧光 或太阳光的紫外光照射而造成信息丢失。 常用的EPROM有2716（2K×8位）、2732（4K×8位）、2764（8K×8位）和27512（64K×8位）等。 （3）电可擦可编程ROM （Electrically EPROM） EPROM虽然可以多次编程，具有较好的灵活性 电可擦除可编程只读存储器EEPROM也称E2PROM。与EPROM擦除时把整个芯片的内容全变成“1”不同，E2PROM的擦除可以按字节分别进行，这是E2PROM的优点之一。 字节的编程和擦除都只需10ms，并且