第9章二凯极管和晶体管修改好.pptVIP

1. 半导体 导电能力介乎导体和绝缘体之间的物体。如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。 2. 半导体的导电能力与条件有关。利用有些半导体对温度的反应敏感特性可制得热敏电阻；有些半导体对光照的反应敏感特性可制得光敏电阻。 2 PN结的单向导电性 2). PN 结加反向电压（反向偏置） ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例4： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 动画 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压二极管工作于反向击穿区。 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 U I O _ + 阳极 阴极 9.3　稳压二极管 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管反向击穿后稳定工作的电压值。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C时稳定电压变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，稳压性能愈好。 　　[例 1] 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，其值是否合适？ IZ DZ +20 V R = 1.6 k? UZ = 12 V IZM = 18 mA IZ 例9.3.1的图 IZ IZM ，电阻值合适。 [解] 9.4.1　基本结构 N 型硅 二氧化硅保护膜 B E C N 型硅 P 型硅 (a) 平面型 N 型锗 E C B 铟球 铟球 P P (b)合金型 9.4　晶体管 C P N N E B 发射区 集电区 基区 (a)NPN型 (b)PNP型 基极 发射极 发射结 集电结 集电极 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP N P P E B 基区 集电区 发射区 C 集电结 发射结 集电极 晶体管的结构示意图和表示符号 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 9.4.2　电流分配和放大原理 　　我们通过实验来说明晶体管的放大原理和其中的电流分配，实验电路采用共发射极接法，发射极是基极电路和集电极电路的公共端。实验中用的是 NPN 型管，为了使晶体管具有放大作用，电源 EB 和 EC 的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 　　设　EC = 6 V； 改变可变电阻 RB ，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE都发生变化，测量结果如下表： 基极电路 集电极电路 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 基极电路 集电极电路 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 晶体管电流测量数据 结论：(1) 符合基尔霍夫定律 　　(2) IC 和 IE 比 IB 大得多。从第三列和第四列的数据可得 　　这就是晶体管的电流放大作用。 称为共发射极静态电流(直流)放大系数。电流放大作用还体现在基极电流的少量变化 ?IB 可以引起集电极电流较大的变化 ?IC 。 式中，? 称为动态电流(交流)放大系数。 　　(3) 当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO 0.001 mA = 1 ?A。　 　　(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置,集电区才可收集从发射区发射过来的电子。 　　下图给出了起放大作用时晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性。 NPN 型晶体管 + UBE