集成电路工罕艺之化学气相淀积.pptVIP

Chap 6 CVD Introduction Principles of CVD CVD Equipment CVD deposited films Poly silicon Silicon oxide Silicon nitride and Oxynitrides Metal and Other Dielectric Films MSI时代nMOS晶体管的各层膜 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较为直接，上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀积层。图中器件的特征尺寸远大于1μm。如图所示，硅片上各层并不平坦，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片制造的限制因素。 随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接，各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一个重要工艺步骤。 ULSI硅片上的多层金属化 芯片中的金属层 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition) CVD定义：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 *它是半导体生产中最重要的薄膜淀积方法，除了某些金属材料之外，基本都用CVD进行淀积。 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition) CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 CVD相对于PVD,有什么优点？ 跟材料特性相关的性质——结晶性和理想配比都比较好 薄膜成分和膜厚容易控制 *淀积温度低 *台阶覆盖性好（step coverage) CVD outline Introduction Principles of CVD CVD Equipment CVD deposited films Poly silicon Silicon oxide Silicon nitride and Oxynitrides Metal and Other Dielectric Films CVD的薄膜生长原理 薄膜生长的过程 生长模型 薄膜生长过程 1、反应剂气体混合物以合理的流速被输运到沉积区 2、反应剂气体由主气流通过边界层扩散到衬底表面 3、反应剂气体吸附在衬底表面上 4、吸附原子（分子）发生化学反应，生成薄膜基本元素 5、副产物分子离开衬底表面，由衬底外扩散到主气流，排出 边界层理论 气体速度受到扰动并按抛物线型变化、同时还存在反应剂浓度梯度的薄层称为边界层（附面层、滞留层） 气体分子的平均自由程远小于反应室的几何尺寸，可以认为气体为黏滞性流动 由于气体的黏滞性，气体与硅片表面或侧壁存在摩擦力，该摩擦力使紧贴硅片表面或者侧壁的气体流速为零 在离硅片表面或者侧壁一定距离处，气体流速过渡到最大气流Um Grove模型能够准确预测薄膜淀积速率，认为控制薄膜沉淀速率的两个因素为： 1 气相输运过程 2 表面化学反应过程 （1）F1=hg(Cg─ Cs) （2）F2=ksCs 其中：hg为气相质量输运系数，ks为表面化学反应速率常数 稳定状态： F1=F2=F ∴ Cs=Cg/(1+ks/hg) （1）hg ks时，Cs趋向Cg，淀积速率受表面化学反应控制 （2）ks hg时，Cs趋向0，淀积速率受质量输运速率控制 Grove模型（4） 薄膜淀积速率（其中N1表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量）： Diffusion and Surface control regions 薄膜淀积速率(1) CVD outline Introduction Principles of CVD CVD Equipment CVD deposited films Poly silicon Silicon oxide Silicon nitride and Oxynitrides Metal and Other Dielectric Films CVD Equipment 化学气相淀积系统 气态源或液态源 气体输入管道 气体流量控制系统 反应室 基座加热及控制系统 温度控制及测量系统 减压系统（LPCVD和PECVD) 6.2