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嵌入式存储器及系统结构 李 立华 2007.04.13 目录 1.嵌入式存储器简介 1.1 常用存储器简介 1.嵌入式系统存储器 1.1 常用存储器简介 存储器按配置分为 内存(主存)和外存。 在嵌入式系统中，嵌入式系统中的外存一般当作外围接口部件，如USB、SD卡等。 在现代嵌入式系统中，内存全部采用半导体存储器。 目前，半导体存储器主要包括以下几大类： (1)RAM类 RAM类包括RAM、SRAM、DRAM、SDRAM 目前，我们的嵌入式系统的，一般有内置RAM和SDRAM等。其特点是具有数据读写功能。 RAM一般均作内存使用。 (2)ROM类型 ROM主要有掩膜ROM、PROM(一次可编程)、EPROM（紫外线可擦除）、EEPROM（电可擦除）和FLASH型ROM。 在我们常用的嵌入式系统中，一般都是Flash型ROM。也有个别系统中，产品量产后，为了节省硬件，用掩膜ROM代替Nor Flash。 在一般的MCU中，都内置有RAM和Flash ROM。 如Atmel 89C51中，自带有128 Byte的RAM和128K 的ROM。 (3)半导体外存 在嵌入式系统中，主要有NandFlash、I2C EEPROM、SPI Flash等。 NandFlash和很多优点。后面我们将重点介绍。 I2C EEPROM主要用于存储少量数据，其优点是外接电路简单。缺点是数据存取速度慢。 1.2 Flash存储器的分类 在嵌入式系统中，Flash包括MCU内置Flash, 独立的NorFlash、Nand Flash等。 其中，MCU内置Flash ROM与NorFlash在嵌入式系统中起的作用相同，一般均用作程序存储器。在这里我们只对NorFlash和NandFlash进行讨论。 NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 　　这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。 　　前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。  　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。 　　● NAND的写入速度比NOR快很多。 　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 　　● NAND的擦除单元更小，相应的