科创学院非线性电子元器件料的检测工艺.ppt

六、观看三极管实物图 六、观看三极管实物图 1.6 光电耦合器 二、国内集成电路命名 （3）单列直插式封装：与双列直插式封装IC一样，管脚向下，缺口、色点等标记为起点，从左向右数管脚，就可以得到管脚的排列序号，如下图③。 3、常用集成电路管脚图 贴片晶振2 1.8 半导体场效应管 一、作用及分类 １、作用 放大、集成、开关等。 ２、分类 按导电极性：N沟道、P沟道。 按材料：Si、Ge 按控制方式：结型场效应管（JFET）、 绝缘栅型场效应管(MOSFET） 利用电压控制电流以实现放大作用的半导体器件。 3、场效应管的结构及符号 N沟道JFET P沟道JFET N沟道耗尽型MOS P沟道耗尽型MOS N沟道增强型MOS P沟道增强型MOS 3、场效应管的结构及符号 二、国产场效应管的命名 第一种命名方法与双极型三极管相同 第一位是电极数目（数字）； 第二位是材料（字母）； A是锗，反型层是P沟道； B是锗，反型层是N沟道； C是硅，反型层是P沟道； D是硅，反型层是N沟道。 第三位是类型（字母） J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。 例如：3DJ6D是结型N沟道场效应管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应管。 第二种命名方法是CS××# CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的主要参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅源极电压。3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gm — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。 四、 MOS场效应晶体管使用注意事项 　　MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： （1）、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。（3）、焊接用的电烙铁必须良好接地。 （4）、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 （5）、MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 （6）、电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）、 MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 六、观看实物图 1.9 集成电路（IC） 集成电路是把一个电子单元电路或某一个功能、一些功能，甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，并封装在一个便于安装焊接的外壳中。 特点：体积小、重量轻、成本低、耗电少、可靠性高和电气性能优良等优点。 一、集成电路分类 １、按制造工艺和结构分??? 薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在１微米以下的（金属、半导体、金属氧化物、合金或绝缘介质）薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。 半导体集成电路是将晶体管，二极管、电阻、电容器元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，完成特定的电路或者系统功能。 厚膜集成电路是将电阻、电感、电容、半导体元件和互连导线通过印刷、烧成和焊接等工序，在基板上制成的具有一定功能的电路单元。 混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。 通常提到集成电路指的是半导体集成电路，也是应用最广泛、品种最多的集成电路，膜（薄、厚膜）电路和混合电路一般用于专用集成电路，通常称为模块。 ２、按集成度分 集成度指一个硅片上含有元件数目。 300 2000 10000 超大规模 VLSIC 100～300 500～2000 1000～10000 大规模 LSIC 30～100 100～500 100～1000 中规模 MSIC 30 100 　 小规模 SSIC 模?? 拟 数字双极 数字MOS 名称 缩写 　　同一功能的集成路按应用领域规定不同的技术指标，而分为军用品、工业用品和民用品（