第半导体物理课件 第四章..ppt

第四章 半导体的导电性 本章探讨载流子的运动规律。讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动，讨论半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律。为了解迁移率的本质，着重讨论一个重要概念— 载流子的散射概念 电子的漂移运动 载流子的散射概念 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 玻耳兹曼方程·电导率的统计理论 霍耳效应 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。 存在破坏周期性势场的作用因素： 如： * 杂质 * 缺陷 * 晶格热振动 散射 1 电子的漂移运动 电流的微观机制 在电场中，电子作定向运动，即漂移运动： 如半导体中电子密度n，平均漂移运动速度υd 迁移率 半导体电导率和迁移率 半导体在弱电场强度中，半导体中的载流子在电场作用下的运动仍遵守欧姆定律，半导体中存在着两种载流子， 电子和空穴 电场中空穴沿电场方向漂移，电子反电场方向漂移： 半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和 电子迁移率与空穴迁移率不相等，前者要大些。以μn和μp分别代表电子和空穴迁移率，n和p分别代表电于和空穴电流密度则总电流密度： 半导体电导率 对于n型半导体np, 对于p型半导体p n, 对于本征半导体： 2 载流子的散射 散射的概念 半导体内部的大量载流子，在作永不停息地、无规则的热运动； 载流子不断地与热振动着的晶格原子或杂质原子发生作用或碰撞，碰撞后的速度大小及方向就发生改变； 载流子在外电场作用下的实际运动轨迹应该是热运动和漂移运动的叠加。漂移运动形成了电流； 载流子在两次散射之间才真正是自由运动的。 自由程l：相邻两次散射之间自由运动的路程。 半导体中的散射机构 散射的根本原因可以认为是由于多种原因产生的附加势场，破坏了周期性势场，使能带中的电子在不同状态k间跃迁 。 产生附加势场的原因： 电离杂质的散射：电离施主或受主周围形成一个库仑势场 晶格振动的散射 其它散射因素： 等同的能谷间散射 未电离中性杂质散射 位错散射 载流子之间散射 1) 晶格振动散射 晶格振动： 格点原子在平衡位置做微振动： q和ω为振动格波的波矢量和角频率低的格波称为声学波，频率高的称为光学波。 一般地，如晶体中含N个晶胞，每个晶胞有n个原子，则：晶体振动共有：N个波矢； 3nN个振动频率； 3N支声学波； 3N(n-1)支光学波。 格波的速度（相速度）为 由于晶格结构的周期性，频率v的格波的能量是量子化的，格波的能量以?=hv为单元。把格波的能量量子称为声子 声学波散射 能带具有单一极值的半导体中起主要散射作用的是长波，也就是波长比原子间距大很多倍的格波。 纵波在散射中起主要作用。长纵声学波传播时会造成原子分布的疏密变化；禁带宽度随原于间距变化，疏处禁带宽度减小、密处增大。引起能带极值的改变。处于导带底或价带顶的电子或空穴，在半导体的不同地点，其能量就有差别。纵波引起的能带起伏，对载流子如同附加势场的作用，对电子产生散射作用。 横声学波要引起一定的切变，对具有多极值、旋转椭球等能面的锗、硅来说，也将引起能带极值的变化。 光学波散射 离子性半导体中，长纵光学波有重要的散射作用。 每个原胞内正负离子振动位移相反，正负离子形成硫密相间的区域，造成在一半个波长区域内带正电，另一半个波长区域内带负电，将产生微区电场，引起载流子散射。 长声学波振动，声子的速度很小，散射前后电子能量基本不变，－－弹性散射 光学波频率较高，声子能量较大，散射前后电子能量有较大的改变，－－非弹性散射。 2）电离杂质散射：即库仑散射 散射几率Pi∝NiT-3/2（Ni：为杂质浓度总和）。 3)其它散射机构 （1）等同能谷间散射——高温下显著 谷间散射：电子在等同能故中从一个极 值附近散射到另一个极值附 近的散射。 分类：A、弹性散射 B、非弹性散射 （2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射