课题二 晶酥体管及光电器件.ppt

1、BJT必须工作在安全工作区 14.6光电器件 概述 思考题 主要产品有硅光敏二极管、硅光敏三极管、红外发光二极管、光电开关、光电传感器、光电位移传感器。广泛用于计算机、编码器、计数器、测速表、红外遥控器、消防烟雾探头、伪钞鉴别、光电自动控制等仪器设备。 光电耦合，隔离作用；图像显示 * 对应教材章节内容: 14.5 晶体管 14.6 光电器件 14.5 晶体管 14.5.1 BJT的结构简介 (1)基本结构及符号 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 (2)结构特点： 集电区： 面积最大 BJT结构 14.5.2 电流分配和放大原理 IC EB mA ?A RB IB EC mA – – + + IE IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 ( 1 ) BJT的作用 结论: 2） IC ?? IB ， IC ? IE 静态(直流)电流放大系数: 动态(交流)电流放大系数: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 3) 当IB=0(基极开路)时, IC=ICEO,很小接近于０。 (2 ) 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB (3) 内部载流子传输过程　（以NPN型为例） IB= IB’－ICBO IE = IC+ IB IE ＝ IEN Re UEE Rc UCC IE IC IC ＝ INC + ICBO IB 内部载流子传输动画 ３共集电极：集电极作为公共端，用CC表示； １共发射极：发射极作为公共端，用CE表示。 ２共基 极：基 极作为公共端，用CB表示。 (4) 三极管三种组态 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC UBB mA ?A V UCE UBE RB IB UCC V + + – – – – + + 14.5.3 特性曲线 RC (1) 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 输入特性曲线 (2) 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 9 12 0 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 放大区—曲线基本平行部分　条件：发射结正偏， 集电结反偏。　　特点： VCE较大 　　　　iC = ? iB 输出特性曲线 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 9 12 0 （2）截止区 条件：发射结:反偏（或正偏压小于Vth ） 集电结:反偏 饱和区 截止区 （3）饱和区 特点： ?iB ?iC UCE较小 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 条件：发射结:正偏 集电结:正偏（或零偏） 特点： iB = 0, iC =ICEO? 0 ICEO NPN、 PNP型三极管分别处于放大区时，其三个极电位有何关系？ 测量BJT三个电极对地电位如图所示， 试判断BJT的工作区域 ？ 放大 截止 饱和 晶体管三种工作状态的电压和电流 (a)放大 (b)截止 (c)饱和 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? ? UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC