模拟电子技术12半导浩体二极管.pptVIP

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2019-01-11 发布于福建
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模拟电子技术12半导浩体二极管.ppt

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模拟电子技术12半导浩体二极管

半导体二极管伏安特性几种常见结构稳压二极管等效电路主要参数下一页返回一、几种常见结构二极管的类型从材料分：硅二极管和锗二极管从管子的结构分：点接触型二极管，工作电流小，可在高频下工作，适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管，工作电流大，只能在较低频率下工作，可用于整流。平面型二极管，结面积小的在数字电路中作为开关管结面积大的可用于大功率整流阳极从P区引出，阴极从N区引出对应N区对应P区图1.2.4 二极管符号阳极 anode 阴极 cathode 下一页上一页返回正向特性死区电压 Is UBR 30 20 10 I/mA U/V 0.5 1.0 1.5 20 10 2 4 -I/μА O 反向特性 + - U I 下一页上一页动画演示二、二极管的伏安特性返回当正向电压超过死区电压后二极管导通, 电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.7V左右锗二极管为0.2V左右死区电压正向特性 0.5 1.0 1.5 10 20 30 U/V I/mA O 二极管正向特性曲线硅二极管为0.5V左右锗二极管为0.1V左右死区电压：导通压降： 1.正向特性下一页上一页返回反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿 2 4 -I/μΑ I/mA U/V 20 10 IS 反向特性 UBR 结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。反向饱和电流反向击穿电压 2.反向特性下一页上一页返回二极管方程若|U| UT则 I ≈ - IS 若U UT 则 I ≈ IS e U/UT 式中： IS为反向饱和电流 UT 是温度电压当量，常温下UT近似为26mV I = IS（e U/UT - 1）下一页上一页 Is UBR I/mA U/V -I/μА O 返回三、二极管的主要参数最大整流电流 IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流最高反向工作电压 UR 二极管工作时允许外加的最大反向电压反向电流 IR 二极管二极管未击穿时的反向电流最高工作频率 fM 二极管工作的上限频率下一页上一页返回下一页上一页四、二极管的等效电路 + - RL i + - - + VCC v + - VON rD + - VON O i v VON O i v VON VCC和RL都很小时 VON和rD不能忽略 O i v 与VCC和RL相比 VON不能忽略 rD可以忽略与VCC和RL相比 VON和rD均可忽略返回二极管的应用 1. 整流 Ui = Umsin ωt 画出uo和uD的波形 VD R + - + - ui uo + - uD io Um ωt uo 0 ωt uD 0 ui ＞0 时二极管导通 uo = ui uD = 0 ui ＜0 时二极管截止 uD = ui uo = 0 -Um io Um ωt ui 0 下一页上一页返回 2. 开关 E VD E S E VD E S 正向偏置，相当于开关闭合反向偏置，相当于开关断开下一页上一页返回是一种面接触型二极管，与二极管不同之处： 1.采用特殊工艺，击穿状态不致损坏； 2.击穿是可逆的。 ΔU ΔI + - I U O 稳压管的伏安特性和符号 ΔU ΔI 值很小有稳压特性 N区 P区下一页上一页五、稳压二极管返回