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第5章 场效应管放大电路 (2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路 求Q点 需要验证是否满足 饱和区 (3)电流源偏置的NMOS共源极放大电路 电流源偏置 静态时， 求Q点 饱和区有： 2. 图解分析（交流分析) 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 Q Q 3. 小信号模型分析 （1）模型（微变等效电路） （2）放大电路分析 共源极放大电路 3. 小信号模型分析 互导 漏极输出电阻 很大，可忽略 低频小信号模型 共源极放大电路 高频小信号模型 （1）模型（微变等效电路） * * 金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管 5.1 本章重点 MOSFET放大电路 5.2 结型场效应管（JFET） 5.3 砷化镓金属—半导体场效应管（自学） *5.4 各种放大器件电路性能比较 5.5 场效应管的分类 FET 场效应管 MOSFET (IGFET) 绝缘栅型 JFET 结型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 (耗尽型) P沟道 N沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道存在 5.1 金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1、结构（N沟道） 漏极d 源极s 栅极g 沟道 L：沟道长度 L W W：沟道宽度 通常 WL ：绝缘层厚度 剖面图 电路符号 1、结构（N沟道） 2、工作原理 （1） 对沟道的控制作用 ☆当 时， d、s间加电压时，无电流产生 无导电沟道 ☆当 时， 产生电场 ●当 时 未形成导电沟道（感生沟道）， d、s间加电压后，没有电流产生。 ●当 时 在电场作用下产生导电沟道， d、s间加电压后，将有电流产生。 称为开启电压 越大，导电沟道越厚 导电沟道相当于电阻将D—S连接起来， 越大此电阻越小。 （2） 对沟道的控制作用 当 一定（ ）时， 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 问题：电流 是否会随着 的增加线性增长？ 整个沟道呈楔形分布 沟道电位梯度 当 增加到使 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处： 预夹断后， 夹断区延长 沟道电阻 基本不变。 （3） 和 同时作用 一定， 变化时， 给定一个 ，就有 一条不同的 曲线。 以上分析可知 ■ 沟道中只有一种载流子参与导电，所以场效应管也称为单级 型三极管。 ■ MOSFET的栅极是绝缘的，所以 ，输入电阻很高。 ■ MOSFET是电压控制电流器件（VCCS）， 受 控制。 ■ 只有当 时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。 ■ 预夹断前 与 呈近似线性关系；夹断后， 趋于饱和。 MOSFET与BJT有什么不同？ （1）MOSFET只有一种载流子参与导电，而BJT有两种载 流子参与导电 （2）MOSFET比BJT输入电阻大 （3）MOSFET是VCCS,BJT是CCCS 3、V—I特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ①截止区 当 时，导电沟 道尚未形成， 为截止工作 状态。 无导电沟道 ②可变电阻区 其中 ：为反型层中电子迁移率 ：栅极氧化层单位面积电容 本征电导因子 为电导常数，单位： 有导电沟道且沟道未被夹断 由于 较小，可近似为 是一个受 控制的可变电阻。 ③饱和区(恒流区又称为放大区) ，且 问题：此时场效应管的V—I特性 方程是怎样的？ V—I特性： 是 时的 导电沟道被夹断后 （2）转移特性 问题：为什么不考虑输入特性？ A B C D E F 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1、结构(N沟道) 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 ●当 时，沟道变宽 ●当 时，沟道变窄 ●当 时，沟道被夹断 结论：可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 2 工作原理（N沟道） 称为夹断电压 2、V—I特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型