第5章超扣导体陶瓷.pptVIP

新型陶瓷材料 超导陶瓷都是由有缺陷的钙钛矿型化合物组成，组成中大多含有变价铜离子，Cu－O层在超导机制中起重要作用。 研究最多、最成熟的是YBa2Cu3O7-δ超导。 δ≥ 0.65 晶体就完全变成四方相 这是由于该系统中只是一个超导相，便于获得纯的123相，甚至于单晶123相样品，而且制备也较为方便，因而被广泛采用。但其缺点是它的临界转变温度过于接近介质（液氮）温度（77K），其化学稳定性较差，易与空气中的水反应而失超。 这是由于该系统中只是一个超导相，便于获得纯的123相，甚至于单晶123相样品，而且制备也较为方便，因而被广泛采用。但其缺点是它的临界转变温度过于接近介质（液氮）温度（77K），其化学稳定性较差，易与空气中的水反应而失超。 这是由于该系统中只是一个超导相，便于获得纯的123相，甚至于单晶123相样品，而且制备也较为方便，因而被广泛采用。但其缺点是它的临界转变温度过于接近介质（液氮）温度（77K），其化学稳定性较差，易与空气中的水反应而失超。 由于钇系的超导系统都含有稀土元素，一时稀土元素身价升高 飙升 铊系超导体是三个系统中Tc温度最高的，且具有非常好的化学稳定性，可以长时间暴露于空气中，因此具有很高的实用价值，现在已有用铊系薄膜做成的微波器件商品出售。但是该系统的一个缺点是铊是一种高毒物质，这给制备过程带来了不少问题。此外，由于得不到纯的超导相单晶，因此一些基本参数的测定也受到一定的限制，这给理论研究造成了一定的困难。 氧化物超导是一种层状结构的化合物，一般认为氧化物超导电层为Cu－O面，晶体中导电能力是各向异性的。YBCO单晶的研究表明，a－b面方向上的Jc要远高于c轴（垂直a－b）方向的Jc。因此如果能使晶体沿a－b面方向择优生长，那么就能获得高的临界电流密度。这里晶界起了重要作用，晶界两侧晶粒的生长方向若相差很大（即出现高角晶界），将不利于导电，反之则有利于导电，这种晶界连接称为弱连接。此外，晶界附近的化学成分改变、裂纹、晶界处的位错也都是导致晶界弱连接的原因。提高材料中超导相的纯度、定向性和致密度对提高材料的临界电流密度是有利的。由于薄膜制备过程中均生长于衬底基片上，而基片的晶格尺寸又较接近于超导相的a、b参数，因此有利于超导相的外延生长。迄今为止，人们已能稳定地获得临界电流密度大于105A／cm2的超导薄膜。从这个意义上说，超导薄膜的应用要快于体材和线材。 在铊系超导体中，高温下各超导相的稳定区与一定大小的铊蒸气分压相对应，因此在铊系超导体的热处理中，须保持一定铊气氛分压不变，使相应的超导相稳定存在，否则超导体中的铊将不断分解挥发出来，使材料中的铊含量严重偏离组成，最终失去超导电性。故在铊系超导体的制备中，除了温度、保温时间、升降温速率外，氧分压和铊蒸气分压也是重要的影响因素，为获得高质量的单一超导相的铊系超导体，必须在这些参数间建立精确的平衡，这给工艺过程带来了极大的困难。 在低温下，大多数金属会发生超导现象，即电流可以无电阻地传导。 通常超导体根据其界面能分为两类：Ⅰ类超导体具有正的界面能，当这类超导体从非超导态转变为超导态（超导相变）时，超导相变随外磁场或温度的变化而剧变，当外场或温度稍小于临界值，就发生完全的抗磁效应。而Ⅱ类超导体具有负的界面能，即超导态与正常态界面愈大，系统愈稳定，因此这类超导转变是一个渐变过程，在渐变过程中存在两个临界场，即上临界场Hc2和下临界场Hc1，两类超导体的相图如图5.5所示。 在低温下，大多数金属会发生超导现象，即电流可以无电阻地传导。但如果外加一个足够强的磁场，超导现象就会消失。第II类超导体与第I类超导体不同，就在于它们在磁场下的不同行为。第I类超导体完全排斥磁场进入超导体内，即超导与磁场在第I类超导体内是不能共存的。第II类超导体与第I类超导体则不同，磁场可以进入第II类超导体内部，超导与磁场是可以共存的，这意味着第II类超导体可以在更高的磁场下保持超导状态。因此第II类超导体是一种更实用的超导体，可以应用在磁共振成像系统和超导磁铁中。第I类超导体的理论基础是由巴丁（Bardeen），库珀（Cooper）和施里佛（Schrieffer）于1950年发展的平均场理论(BCS理论)，并且获得了1972年的诺贝尔物理奖。50年代金茨堡（Ginzburg）还发展了一种关于第I类超导体的唯象理论，后来被阿布里科索夫（Abrikosov）所推广用来解释第II类超导体的行为。 这是由于该系统中只是一个超导相，便于获得纯的123相，甚至于单晶123相样品，而且制备也较为方便，因而被广泛采用。但其缺点是它的临界转变温度过于接近介质（液氮）温度（77K），其化学稳定性较差，易与空气中的水反应而失超。 超导技术在军事工业中也可以发挥其特有的作用，