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第 5 章 存储器技术 了解存储器的分类 了解半导体存储器的组成和工作原理 理解位扩展、字扩展、线选法、部分译码法、全译码法等基本概念和方法 掌握存储器与CPU总线的连接方式 学会根据连接图计算存储器地址以及给定地址画连接的技术 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位结构）或多位（字结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 存储容量的单位有B、KB、MB、GB和TB等。 存取时间TA:从启动一次存储器操作(读或写)，到完成 该操作所经历的时间； 存储周期TMC: 连续启动两次独立的存储器操作之间 的最小时间。 —半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 —半导体存储器的分类 读写存储器RAM 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外线擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 5.2 RAM芯片的结构与工作原理 一、静态RAM的基本存储电路 基本存储电路是半导体存储器的存储基元，用来存 储一位二进制信息（0或1），是组成存储器的基础。 以六管结构为例，说 明静态MOS基本存储 电路的工作原理。 二、单管动态RAM的基本存储电路 基本存储电路是半导体存储器的存储基元，用来存 储一位二进制信息（0或1），是组成存储器的基础。 以单管结构为例，说 明DRAM的基本存储 电路的工作原理。 —RAM芯片的内部结构 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 5.2 随机存取存储器 静态RAM SRAM 2114 SRAM 6264 SRAM HM6116 5.2 RAM典型芯片—静态RAM（SRAM） SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位 每个存储单元具有一个地址 SRAM芯片2114 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* SRAM芯片6264 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1*、CS2 读写WE*、OE* SRAM芯片6116 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线D7～D0 片选CS* 读写WE*、OE* 5.2 RAM典型芯片—动态RAM（DRAM） DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 DRAM芯片4116 存储容量为16K×1 16个引脚： 7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE* DRAM芯片2164 存储容量为64K×1 16个引脚： 8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE* 5.3 ROM芯片的结构与工作原理 5.3 ROM典型芯片 EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EPROM 2732A 5.3 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元