第5章存储志器4班2组.pptVIP

目标 1. 了解存储器的基本组成、分类和性能指标 2. 掌握RAM和ROM的基本原理 3. 掌握80C51中存储器的特点 存储器的分类 一、有关存储器几种分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 按存取方式分类 随机/读写存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage) 按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 存储器的分类 2.1.1 读写存储器RAM的分类及特点 静态SRAM 动态DRAM 1. 静态存储器（SRAM） 1. 静态存储器（SRAM） 2. 动态读写存储器（DRAM） 2.1.2 只读存储器(ROM) （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器MROM 2.1.2 只读存储器(ROM) （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器MROM ② 可编程只读存储器PROM 2.1.2 只读存储器(ROM) （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器MROM ② 可编程只读存储器PROM ③ 可擦除只读存储器EPROM 2.1.2 只读存储器(ROM) （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器MROM ② 可编程只读存储器PROM ③ 可擦除只读存储器EPROM ④ 可电改写的只读存储器EEPROM 只读存储器(ROM) （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器MROM ② 可编程只读存储器PROM ③ 可擦除可编程只读存储器EPROM ④ 可电改写的只读存储器EEPROM ⑤ 闪速存储器（Flash Memory） 表2-1 ROM的内容 2．可擦除的可编程序的只读存储器（EPROM） 2.2 80C51中的存储器组织的特点 8051系列存储器组织的特点是程序存储器与数据存储器在逻辑上分离。 程序存储器与数据存储器截然分开，分为两个不同的地址空间，并且配备各自独立的寻址机构、寻址方式与操作指令。这种体系结构是由Harward Aiken于1944年提出的，称为“Harward（哈佛）体系结构”。8051系列采用的就是这种哈佛体系结构。 存储器层次结构 把不同存储容量、存取速度和价格的存储器按层次结构组成多层存储器，并通过管理软件和辅助硬件有机组合成统一的整体，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存储器中。 主要由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助外存组成。 存储器层次结构 存储器层次结构 存储器层次结构 存储器层次结构 存储器层次结构 主存储器及存储控制 性能指标:功耗、可靠性、容量、价格、集成度、存取速度 从功能和接口电路角度，最重要是芯片的存取容量和速度。 （1）存储容量 存储容量是指存储器存放二进制信息的总位数 即：存储容量=存储单元数×单元的位数。 芯片的容量通常采用比特（Bit）作为单位。如N×8、N×4、N×1这样的形式来表示芯片的容量 (集成方式) 。 计算机中一般以字节B（Byte）为单位，如256KB、512KB等。大容量的存储器用MB、GB、TB为单位。 （2）存取时间 是反映存储器工作速度的一个重要指标，是指从CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。 读操作：存取时间就是读出时间，即从地址有效到数据输出有效之间的时间，通常在101～102ns之间。 写操作：而对一次写操作，存取时间就是写入时间。（一般大于读） 存取速度是以存储器的存取时间来衡量的，一般为几ns到几百ns，存取时间越短，存取速度越快，存取时间主要是与存储器的制造工艺有关，一般双极型速度高于MOS型速度。 （3）存取周期 指连续启动两次独立的存储器 读/写操作所需的最小间隔时间 注意!! 存在内部操作的恢复时间， 读/写周期=读出/写入时间+恢复时间。 （4）功耗 包括“维持功耗”和“操作功耗”，反映了存储器在一定时间内耗电的多少，同时也反映了它的发热程