计算机组成原理8-存卜储器-1.pptVIP

若一个块中有k个字，则传送这一块数据的时间是： 1、T T L存储元 transistor-transistor logic 电路结构图 存储器的各芯片同时刷新，每个芯片内是按行刷新，刷新一行的时间是一个刷新周期。 集中刷新方式 有“死”时间 ROM 指一般情况下只能读出、不能写入的存储器 1、掩模型只读存储器（MROM） R/W R/W R/W 刷新 刷新 2ms 动态存储器的刷新 动态存储器的刷新 分散刷新方式 刷新次数过多 R/W R/W 刷新 刷新 存取周期 异步刷新方式 克服前两种的缺点 R/W R/W 刷新 15.6 u s R/W R/W 刷新 15.6 u s R/W 地址译码驱动器 Vcc A1 A9 数 据 缓 冲 器 D0 D1 … D7 0 1 1023 读出放大器 0 1 … 7 0 0 … 1 1 0 … 1 1 1 … 0 0 1 1023 A0 半导体只读存储器 * * 存储系统 需解决的主要问题： （1）存储器如何存储信息？ （2）在实际应用中如何用存储芯片组成具有一定容量的存储器？ 240 1012 T(tera) 230 109 G(giga) 220 106 M(mega) 210 103 K(kilo) 2的幂 通常意义 单位 存储容量 Sm = W . L（位或字节） Sm 是存储器容量，W是字数，L是位数 访问时间Ta：指从向存储器发出指令开始，到从存储器中读出信息为止所需的时间。 访问周期Tm：又称“存储周期”、“读周期”、“写周期”或“读写周期”。它是指连续两次访问存储器的最小时间间隔。一般情况下，Tm = Ta。 存储器频宽Bm：是指连续访问存储器时，存储器所能提供的数据传输率。单位为字节/每秒。 延迟时间T1: 指访问数据时的起始延迟时间。 存储器性能参数 T= T1+k*Bm 存储器的分类 1.按存储器在系统中的作用分类 （1）主存 （内存） 主要存放CPU当前使用的程序和数据。 速度快 容量有限 （2）辅存 （外存） 存放大量的后备程序和数据。 速度较慢 容量大 （3）高速缓存 存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。 速度很快 容量小 2.按存储介质分类 （1）半导体存储器 利用双稳态触发器存储信息 速度快， 信息易失 非破坏性读出和破坏性读出 （只读存储器除外）。 作主存、高速缓存。 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。容量大，非破坏性读出，长期保存信息，速度慢。作外存。 （2）磁表面存储器 （3）光盘存储器 利用光斑的有无表示信息。容量很大，作外存。非破坏性读出，长期保存信息，速度慢。 3.按存取方式分类 随机存取： 可按地址访问存储器中的任一单元， （1）随机存取存储器 访问时间与单元地址无关。 RAM 存取周期或读/写周期 固存： （ns） ：可读可写 ROM ：只读不写 PROM： 用户不能编程 用户可一次编程 EPROM： 用户可多次编程 （紫外线擦除） EEPROM： 用户可多次编程 （电擦除） 速度指标： 总线周期 时钟周期的若干倍 作主存、高速缓存。 （2）顺序存取存储器（SAM） 访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。（磁带） （3）直接存取存储器（DAM） 访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。 三步操作 定位（寻道）操作 等待（旋转）操作 读/写操作 速度指标 平均定位（平均寻道）时间 平均等待（平均旋转）时间 数据传输率 （ms） （ms） （位/秒） 主存储器的组成 DB MDR 存储阵列 读/写放大电路 写驱动电路 译 码 器 M A R RD WR AB n 0 2n-1 主存储器的组成 AB 地址总线 DB 数据总线 RD/WR 读写控制线 低电平有效 MAR 内存地址寄存器 MDR 内存数据寄存器 又叫MBR 译码器：将具有一定含义的二进制码辨别出来，并转换成控制信号。 半导体存储器 工艺 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、 容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。