模拟电子技术叶基础3.pptVIP

1.3.1场效应晶体管结构特性与参数 1、绝缘栅场效应管(IGEFT) 2、NMOS增强型工作原理 4、结型场效应管(JFET) 场效应晶体管特性参数 1、增强型NMOS场效应管伏安特性 3、场效应管的主要参数 3、场效应管工作状态估算 集成电路分类 1.复合管 （达林顿管，Darlington ） 2.多集电极管和多发射极管 3.肖特基三极管 1.2.7半导体器件的制造工艺简介 （1）集电极电流与集电区面积成正比 （2）制作多个具有比较稳定电流关系的电流源 **比例关系可做得很精确** ***多集电极管 （1）常作为门电路的输入级电路 ***多发射极极管 （1）肖特基三极管结构 **普通三极管由饱和转入截止时间（饱和—放大—截止）较长** **开启电压仅0.3V，正向压降0.4V** **普通三极管集电结并接一个肖特基势垒二极管(SBD)** （2）肖特基二极管SBD特点 **没有电荷存储效应，开关时间短** * 集成电子技术基础教程 C J Q * 场效应晶体管及其电路分析 第一篇 电子器件基础 NMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 NMOS结构 1、绝缘栅场效应管(IGEFT)（续） PMOS增强型结构示意图与电路符号 （2）三个集：源集，栅（门）集，漏集 （1）二个PN结：衬源，衬漏 工艺特点： 源漏高掺杂 栅绝缘电阻大 （1）VGS增加形成反型层，大于VT产生沟道，漏源之间形成导电通路 **衬源和 衬漏之间加反向偏置** 2、NMOS增强型工作原理（续1） （2）加入VDS形成漏源电流 2、NMOS增强型工作原理（续2） （3）继续加大VGS， 沟道变宽，沟道R变小，ID增加 **场效应管是电压控制型器件** **场效应管导电由N+的多子形成，单极型器件，T特性好** NMOS工作原理1 2、NMOS增强型工作原理（续3） （4）继续加大VDS， ID适当增加，源-漏电位逐步升高，沟道预夹断 2、NMOS增强型工作原理（续4） （5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定 **漏源增加的电压降在夹断区** NMOS工作原理2 3、N沟道耗尽型MOSFET （1）SIO2中预埋正离子 （3）υGS负到V GS(off)(VP示)，沟道消失 （2）VGS=0时就存在内建电场，形成沟道 （1）N沟道和P沟道JFET结构与符号 **JFET正常工作时，两个PN结必须反偏 ** **NJFET ** **PJFET ** （2）N沟道JFET的工作原理 **VDD=0，沟道宽度随VGG增而窄，沟道R增，ID降，耗尽型** （2）N沟道JFET的工作原理（续1） **VGG不变，VDD增加，沟道上窄下宽ID线性增，直至预夹断** **初始沟道宽度由VGG决定** （2）N沟道JFET的工作原理（续2） **VGG不变，预夹断后VDD增加，增加的电压降在沟道上，ID不变** 5、场效应管类型 （1）绝缘栅型（Insulated Gate Type） FET N沟道（Channel）增强（Enhancement）型MOS N沟道耗尽（Depletion）型MOS P沟道增强型MOS P沟道耗尽型 MOS （2）结型（Junction Type）JFET N沟道(耗尽Depletion)型JFET P沟道(耗尽Depletion)型JFET 场效应管的典型应用 输出回路电流由输入电压控制 输入回路产生电压VGS 三端器件构成2个回路 场效应管的主要半导体机理 ——电压控制电流源作用 （1）增强型NMOS管转移特性 **场效应管是电压控制型器件*** ** IDO漏极电流当VGS =2VT *** （2）增强型NMOS管输出特性 (a)截止区： (b)可变电阻区(?)： **VDS较小，沟道未夹断ID受其影响** (c)放大区： **VDS足够大沟道夹断，ID不随VDS变化** 1、增强型NMOS场效应管伏安特性（续1） **IDSS，VGS=0时漏极电流** 2、耗尽型MOS场效应管和结型FET伏安特性 **转移特性** **输出特性** (1)直流参数 增强型管开启电压V GS(th)(VT) 耗尽型管夹断电压V GS(off)(VP) 耗尽型管在VGS=0时的饱和区漏极电流IDSS VDS=0时，栅源电压VGS与栅极电流IG之比----直流输入电阻R GS(DC) (2)交流参数 低频跨导(互导)gm 交流输出电阻rds (3)极限参数 最大漏源电压V(BR)DS：漏极附近发生雪崩击穿时的VDS 最大栅源电压V(BR)GS：栅极与源极