射频溅射法制备！#$%和#$%薄膜！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6# ’ %$$( ’ ， ， ， LO; 16# FO 1 ’ G@W@JM %$$( （ ） $$$5#%R$T%$$(T6# $’ T%’$5$7 G+UG K4V)0+G )0F0+G !%$$( +X*C 1 KXYJ 1 )OB 1 射频溅射法制备!#$% 和’#$% 薄膜! ! 林洪峰 谢二庆 马紫微 张 军 彭爱华 贺德衍 （兰州大学物理科学与技术学院，兰州 #$$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$# ’ %$$( ( # 利用射频溅射法在 衬底上制备了 薄膜，并利用 射线衍射（ ）和红外（ ）吸收谱对薄膜的结构、成分 )* )*+ , -./ 0. 及化学键合状态进行了分析 结果表明，低温制备的 薄膜为非晶相，而在高温下（ ），薄膜呈现 1 -./ )*+ 2 ’$$3 (45 和 结晶相 谱显示，溅射制备薄膜的吸收特性主要为 — 键的吸收 此外，还利用原子力显微镜对薄 )*+ #+5)*+ 1 0. )* + 1 膜的表面形貌进行了研究，并研究了样品的场发射特性1 关键词：射频溅射， 薄膜，结构，表面形貌，场发射 )*+ ： ， ， () ’6 ’7$+ $’6 4 薄膜，在两种不同的激发波长工作条件下对样品 D 引 言 进行了 .:9:C 测量，研究了低碳含量（约低于 ［］ 7 ） ： 薄膜的结构特征 王引书等 研究 %$:M H :5)*+ 4 1 作为一种新型宽带隙半导体材料， 以其高 了预注入对 合金薄膜形成的影响，认为预 )*+ )* N ! +! 的禁带宽度，高的击穿临界场强、饱和速度和热导 注入对 合金形成的影响与注入 离子的剂 )*