第6章册半导体.ppt

第二单元：图形加工技术（光 刻 Optical Lithography ）（Ch7~Ch11） 问题的提出 Ion Implant in Process Flow Layout and Dimensions of Reticle Patterns 光刻是一种将图形复印和腐蚀相结合的精密表面加工技术 ? 在集成电路生产过程中，在介质和金属膜上复印并刻蚀出与设计的掩膜版完全对应的图形，以实现选择性扩散和金属布线的目的。 光刻是集成电路微图形结构加工的关键工艺技术 集成电路的特征尺寸基本上是由光刻技术决定的，因此通常用特征尺寸来评价生产线的技术水平。 通常用光刻的套刻次数来表示某中集成电路生产工艺的难易程度。 关键技术：套刻（对准）、图形转移（曝光）、刻蚀 图形加工（光刻）：包括图形转移（复印）和图形刻蚀 基本要求： 高分辨率（光学仪器、光源和感光膜、刻蚀技术） 高灵敏度（感光膜 ? 光致抗蚀剂） 精密的套刻对准（自动化精密机械） 大尺寸硅片加工（光学仪器、硅片加工精度） 低缺陷（超净、掩膜版的完整） 完美的刻蚀 图形转移技术（光刻技术） You will learn! 光刻的8个基本工艺步骤(工艺流程)；要求、方法和检测。 光刻胶的类型和特点 光源和曝光技术的发展趋势 6.1光刻的基本工艺流程： （page 191） Fig. 8.9 Wafer增粘? 涂胶（光致抗蚀剂）? 前烘（软烘） ?曝光 ? 后烘* ?显影和定影 ? 坚膜 ? 检测 ? （刻蚀） 6.1.1光致抗蚀剂与涂胶工艺 两种类型的抗蚀剂： （Ch 8） 1）负性胶：抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，而曝光后硬化成不可溶解的物质。 （本实验室） 2）正性胶：抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是不可溶的，而曝光后却变成可溶解的物质。（主流） 对抗蚀剂性能的要求： 1）高分辨率：光刻胶光刻时所能得到的光 刻图形的最小尺寸。 常用1/W（条线/毫米）表示。 这里的分辨率包含光刻胶和曝光两种因素 正胶的分辨率高于负胶 平均分子量越大，分子量的分散性越大，则分辨率越小。 2）高灵敏度：光刻胶感光所必须的照射量 正性胶：显影后使膜厚为零时的最小照射量 负性胶：显影后膜厚减薄至原膜厚1/2时的照射 量 3）粘附性：与待刻介质之间粘附的牢固程 度，直接影响光刻质量。 绝大多数抗蚀剂都是疏水性的，而许多介质（特别是SiO2是亲水的。 4）成膜性：能形成致密性好的、针孔密度小的薄膜。 5）稳定性：主要指烘烤干燥时的热稳定性，不发生热交联，不发生热形变。 6）抗蚀性：能够较长时间抵抗腐蚀剂的侵蚀。整体的抗蚀性与粘附性、成膜性也关。 7）颗粒度和纯度 常见光致抗蚀剂及工作原理 pages 184-187 光致抗蚀剂有多种，一般主要根据刻蚀对象（线条粗细、刻蚀深度、光源和材料）而定。根据需要也有采取多层抗蚀剂的。 聚乙烯醇肉桂酸脂（KPR负性胶） 紫外光照射后，引起聚合物分子间的交联，形成不溶于显影也的立体网状结构。 2-叠氮1-萘醌5-硫酰氯与聚酚团（AZ-1350正性胶） 紫外光照射后，使邻-叠氮萘醌基团分解，并在有水存在的情况下，形成五元环羧酸 — 溶于弱碱液。 重氮醌（DNQ） 涂胶工艺（page191） 1）增粘处理 SiO2膜的干燥处理 增粘剂： page 191，如：HMDS 六甲基二硅亚胺 Effect of Poor Resist Adhesion Due to Surface Contamination 2）涂胶方法 转速：膜的厚度 时间：均匀、稳定 6.1.2 前烘工艺 page 192 使溶剂（~70%）充分挥发，获得固化膜，增强黏附性；时间与温度 烘箱：由外向内的固化 热板烘烤：由内向外的固化 6.1.3 曝光 （Ch 7） 分辨率 ? 线宽、光源 图形畸变 ? 细线条与大晶片（设备与曝光方式）、 光学畸变（光源和掩膜版设计） 套准精度 ? 设备的机械性能、光路设计和传感系统 图形完整性 ? 曝光方式、环境净化、晶片平整度 （膜厚与刻蚀） 1）曝光方式 接触式曝光：page 165，（紫外光）5?m 接近式曝光： page 166， （紫外光、软x射线） 投影式曝光： （Stepper） pages 167-172 （紫外光、平行电子束） 直写式曝光：（电子束） Reticle Pattern Transfer to Resist Stepper Exposure Field Photolithography Track System 2）光源 光源的选择： 分辨率、量子效应、衍涉、散射和漫反射（与界面和