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单晶硅表面氢钝化时效性及其对摩擦学性能的影响-机械设计及理论专业论文.pdf
西南交通大学
西南交通大学 学位论文版权使用授权书
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一虢灿许汗 指导老师签名:
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西南交通大学硕士研究生学位论文
西南交通大学硕士研究生学位论文 第1l页
西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明
本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下: 1.通过对不同环境下单晶硅氢钝化表面接触角及化学成分随放置时间变化规律的
探究,揭示了不同放置环境下单晶硅表面氢钝化的时效性。(第三章) 2.考察了不同放置环境下单晶硅表面氢钝化时效性对其摩擦及黏着的影响规律。
(第四章)
3.提出了一种基于氮化硅探针的单晶硅表面小线宽纳米加工方法。(第五章)
本人郑重声明:所呈交的学位论文,是在导师指导下独立进行研究工作所得的成 果。除文中己经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰 写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中作了明确说明。 本人完全了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。
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西南交通大学硕士研究生学位论文
西南交通大学硕士研究生学位论文 第1页
摘 要
单晶硅作为典型的半导体材料,目前己被广泛应用于微机电系统以及微纳加工领 域。然而,伴随着器械尺度的不断微型化,由表面力引起的黏着及摩擦问题,不仅成 为制约微机电系统可靠服役的关键因素,而且对微纳器件的加工质量产生严重的影响。 因此,如何实现单晶硅表面的抗黏减摩设计受到越来越多的关注。表面氢钝化作为单 晶硅表面化学改性的一种常见方法,因其操作简单,适应性强,目前已广泛应用于集 成电路清洗、硅基太阳能电池制造等领域。然而,由于氧化作用等的影响,单晶硅氢 钝化表面的斥水性能会逐渐退化,因此有必要系统研究表面氧化对单晶硅氢钝化时效 性的影响机制。据此,本文首先通过研究单晶硅氢钝化表面的水接触角及化学成分随 放置时间的变化规律,揭示了不同放置环境对氢钝化表面时效性的影响机制。在此基 础上,进一步研究了氢钝化时效性对单晶硅表面黏着及摩擦的影响规律。最后,基于 单晶硅表面的自然氧化层,提出了一种单晶硅表面小线宽结构的纳米】Jn-r_方法。本论 文的主要研究结果及创新点如下:
1.揭示了放置环境对单晶硅表面氢钝化时效性的影响机制。 单晶硅氢钝化表面的水接触角在大气、纯水和酒精环境下随放置时间的增加均逐
渐降低,其中水环境下的变化程度尤为剧烈,大气环境次之,酒精溶液中变化最小。 表面化学成分检测结果显示,单晶硅表面氧含量随着放置时间的增加而不断升高,其 中水环境下氧含量上升最为明显,酒精溶液氧含量变化微弱。因此,酒精溶液能在一 定程度上抑制单晶硅表面的氧化反应,从而延长单晶硅氢钝化表面的时效性。
2.探明了不同放置环境下氢钝化时效性对单晶硅表面黏着和摩擦的影响规律。 随着放置时间的增加,三种环境下氢钝化表面的黏着力和摩擦力均呈现上升趋势。
但由于受到表面氧化程度和表面斥水性不同的影响,酒精溶液环境下黏着力和摩擦力 随放置时间的增加变化较小;大气和水环境下变化较为剧烈,且相比之下水环境下对 黏着和摩擦的影响更为显著。因此,单晶硅存放在酒精溶液中有利于降低其表面的黏 着和摩擦。
3.提出一种单晶硅表面小线宽纳米结构的加工方法。 基于小曲率半径氮化硅探针对单晶硅表面(含自然氧化层)的刻划结合后续选择性
刻蚀,可以实现单晶硅表面的小线宽纳米结构加工。研究表明,摩擦化学作用下氮化
万方数据
西南交通大学硕士研究生学位论文
西南交通大学硕士研究生学位论文 第1I页 硅探针刻划导致表面氧化层去除后暴露出硅基体,而KOH溶液选择性刻蚀硅基体导致
沟槽深度进一步加深。因此,前期的探针刻划载荷和循环刻划次数以及刻蚀时问均会
对纳米沟槽的线宽及深度产生一定的影响。为了保证单晶硅表面的加工质量,最佳刻 蚀时间大约为7 min。
关键词:纳米摩擦学;单晶硅;氢钝化;摩擦;黏着
万方数据
西南交通大学硕士研究生学位论文
西南交通大学硕士研究生学位论文 第il I页
Abstract
As typical semiconductor material,single crystal silicon has been widely used in MEMS applica
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