低温烧结BST基介电陶瓷的性能研究-材料学专业论文.pdf.docxVIP

低温烧结BST基介电陶瓷的性能研究Study 低温烧结BST基介电陶瓷的性能研究 Study on the property of BST based ceramics sintered at low temperature 二O一五年六月 万方数据 独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究 独创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究 工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容以外，本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的作品成果，也不包含为获得江苏大学或其他教育机构 的学位或证书而使用过的材料。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已 在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名：彬 锣Ⅳ年乡月7日 万方数据 学位论文版权使用授权书江苏大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、中国学术期刊(光盘版) 学位论文版权使用授权书 江苏大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、中国学术期刊(光盘版) 电子杂志社有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档，可以采用影印、 缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致， 允许论文被查阅和借阅，同时授权中国科学技术信息研究所将本论文编入《中国 学位论文全文数据库》并向社会提供查询，授权中国学术期刊(光盘版)电子杂 志社将本论文编入《中国优秀博硕士学位论文全文数据库》并向社会提供查询。 论文的公布(包括刊登)授权江苏大学研究生院办理。 本学位论文属于不保密口。 学位论文作者签名：祈仁竞 指导教师签名：秀独友 矽Jf年多月-7日 加f辟6月7日 万方数据 江苏大学硕士学位论文摘要 江苏大学硕士学位论文 摘要 钛酸锶钡(BaxSrl．xTi03俗称BST)是具有典型钙钛矿结构的铁电材料，由 于它具有较高的介电常数，较低的介电损耗，良好的容温特性、居里温度能够在 很宽的温度区间内移动等优点，被广泛应用在多层陶瓷电容器以及微波可调器件 上。本文旨在通过掺杂低熔点的玻璃、化合物以及减小原料的晶粒尺寸等方法来 降低BST的烧结温度，使其能够满足低温共烧陶瓷(LTCC)技术。以Bao．65Sro．35Ti03 为基体，采用传统电子陶瓷制备工艺，借助x射线衍射仪(Ⅺ①)、扫描电镜(SEM) 等检测方法分别研究了低熔点的ZnO．B203．Si02玻璃、Li2C03与不同化合物 (Bi203、BaF2)、超细BST粉体为原料三种途径对BST基介电陶瓷介电性能以 及烧结温度的影响。 论文主要的研究工作和得到的结论如下： (1)在Bao．65Sro．35T103中加入10wt％ZnO．B203．Si02和分别加入少量的Nd203、 Y203、Ce02，这些BST陶瓷可以在950。C左右烧结成瓷，XRD测试表明样品中 无杂相生成，仍为纯的钙钛矿结构。对于掺杂Nd203的样品，当Nd203的添加量 为1．5wt％时，得到的BST陶瓷样品介电性能较好，此时介电常数er=667、介电 损耗tan 6=O．0l，在．30～85℃温度范围内容温变化率为14．8％—．35．2％。对于掺 杂Y203的样品，当Y203的添加量为O．8wt％时，BST陶瓷的介电性能较好，此 时介电常数er=764、介电损耗tanS=0．0053，在．30～85。C温度范围内容温变化率 为9．04％～40．2％。对于掺杂Ce02的样品，当Ce02的添加量为0．3wt％时，得 到的BST陶瓷介电性能较好，此时介电常数￡r-730、介电损耗tanI{i=0．018。Y203 和10wt％ZnO．B203．Si02玻璃共掺的BST陶瓷样品的绝缘电阻率均达到1011 Q．cm以上。当氧化钇的添加量为O．8wt％时样品的耐压强度Eb=3．38kV／mm。 (2)在Bao．65Sro．35Ti03中加入2wt％Li2C03和少量的Bi203，BST陶瓷可以在 1000℃下烧结成瓷，且无明显的杂相生成。当Bi203添加量为1wt％时，得到的 BST陶瓷样品介电性能较好，此时介电常数er=3038、介电损耗tanS=0．0029，在 ．30～85℃温度范围内容温变化率为45％—．57．2％。添加了氧化铋的陶瓷样品的 绝缘电阻率均达到1011Q·cm以上。当氧化铋的添加量为1wt％时样品的耐压强度 最高为3．82kV／mm。 万方数据 低温烧结BST基介电陶瓷的性能研究(3)在Bao．65Sro．35Ti03中通过掺杂Li2C03和BaF2，BST陶瓷可以在925。C或 低温烧结BST基介电陶瓷的性能研究 (3)在Bao．65Sro．35Ti03中通过掺杂Li2C03和BaF2，BST陶瓷可以在925。C或 950℃下烧结成瓷