低压氧化锌压敏薄膜电阻制备及性能提高的研究-材料加工专业论文.pdf.docxVIP

低压氧化锌压敏薄膜电阻制备及性能提高的研究 低压氧化锌压敏薄膜电阻制备及性能提高的 研究 Study on the Preparation of Low-voltage ZnO Film Varistor and Improvement of Varistor Properties 姓 2015年6月 万方数据 独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究 独创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究 工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容以外，本论文不包含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的作品成果，也不包含为获得江苏大学或其他教育机构 的学位或证书而使用过的材料。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已 在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： ，季平 ∥胆多月铂 万方数据 学位论文版权使用授权书江苏大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、中国学术期刊(光盘版) 学位论文版权使用授权书 江苏大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆、中国学术期刊(光盘版) 电子杂志社有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档，可以采用影印、 缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致， 允许论文被查阅和借阅，同时授权中国科学技术信息研究所将本论文编入《中国 学位论文全文数据库》并向社会提供查询，授权中国学术期刊(光盘版)电子杂 志社将本论文编入《中国优秀博硕士学位论文全文数据库》并向社会提供查询。 论文的公布(包括刊登)授权江苏大学研究生院办理。 本学位论文属于不保密∥。 学位论文作者签名： 毒平 指剥撇：施励％ 加瞬6月5)日 如I辟白月3 万方数据 江苏大学硕士学位论文摘 江苏大学硕士学位论文 摘 要 本文研究了低压ZnO压敏薄膜电阻的制备工艺与低压压敏电性能的提升方 法，首先对多组分ZnO溅射靶材的制备工艺进行了探索和优化；然后采用射频磁 控溅射法制备低压ZnO压敏薄膜电阻，通过优化衬底温度和氧分压参数来制备低 压压敏电性能优异的薄膜电阻；采用二瑚列试仪对薄膜电阻样品进行压敏电性能测 试，得出300。C衬底温度、50％氧分压下制备的薄膜电阻的低压压敏性能最佳：最 后，选择该制备条件下的薄膜电阻样品进行激光冲击实验，激光冲击处理后薄膜 电阻的低压压敏电性能得到了大幅地改善。主要结论如下： 随着成型压力的增大，溅射靶材的直径收缩率不断减小，致密度逐渐增大， 而靶材表面相继出现裂纹。在40MPa下成型，950。C下烧结制备的靶材，表面光滑 无裂纹，靶材内孔洞很少，晶粒生长致密，晶粒尺寸约为5．41．tm。靶材的相组成为 ZnO主晶相、Bi203相、Zn2．33Sbo．6704尖晶石相，靶材的压敏电学性能优异，分别为 压敏电压405V／ram、非线性系数12．8和漏电流0．1劫A。 薄膜的沉积速率随着衬底温度(25。C、150。C、300C、450。C、600。C)的升 高先增大后减小，在相同衬底温度下，薄膜沉积速率随着氧分压的增大而逐渐减 小。在300。C衬底温度下，薄膜的(002)衍射峰相对强度最高，晶粒生长致密， 大小均匀，表面粗糙度最小。在300℃下，随着氧分压(0％、25％、50％、75％、) 的增大，薄膜中氧空位减少，(101)、(102)、(103)衍射峰消失。当氧分压 为50％时，薄膜(002)衍射峰相对强度最强，样品C轴择优取向性较好。 在不同衬底温度和氧分压下制备的薄膜的^y曲线均呈非线性。在300。C衬底 温度下，压敏电压达到较小值4．78V，非线性常数达到最大值12．94，漏电流达到最 小值0．45,uA／mm2；在300C衬底温度、50％氧分压时，压敏电压达到较小值7．05V， 非线性系数达到最大值20．83，漏电流达到最小值0．78,uA／mm2。 薄膜电阻样品经过激光冲击处理后，晶粒显著减小，晶粒之间更加紧密，空隙 减少，表面粗糙度大幅降低，更加平整光滑。不同激光脉冲能量(0．6J、1．2J、1．8J) 处理的薄膜电阻的电性能得到了不同程度地改善，其中：300。C、50％下制各的薄 万方数据 低压氧化锌压敏薄膜电阻制备及性能提高的研究膜电阻经过1．2J激光脉冲能量冲击处理后，压敏电压降低至最小值3．92V，降低幅 低压氧化锌压敏薄膜电阻制备及性能提高的研究 膜电阻经过1．2J激光脉冲能量冲击处理后，压敏电压降低至最小值3．92V，降低幅 度为44．4％；非线性系数达到最大值31．38，提高幅度为50．65％；漏电流密度降低 至最小值0．54∥A／mmz，降低幅度为30．77％，薄膜电阻的低压压敏电性能达到最佳。 经过激光冲击处理之后薄膜内部发生晶格畸变，促使n型ZnO本