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- 2019-01-15 发布于上海
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低倍聚光电池组件中电池划片工艺研究-机械工程专业论文.pdf
摘要在光伏全产业链中,上游晶硅材料的生产以及下游各种太阳能产品的开发利用都比较成熟完
摘要
在光伏全产业链中,上游晶硅材料的生产以及下游各种太阳能产品的开发利用都比较成熟完 善,成本降低的空间不大,在中游产业电池的制作和组件的生产中可以寻找新的途径来降低光伏 产业的度电成本。硅片的成本占到光伏组件成本的26%,为了降低光伏发电成本设计了低倍聚光 新型电池组件,相较于传统的电池该新型电池半导体材料的消耗量大约可以减少50%,该电池保 留了传统电池组件生产的诸多优势,但新型电池生产工艺的改进也带来一系列的问题,本文主要 针对电池片的划片工艺进行研究。
由于电池片的厚度只有200pro很容易发生破碎。为了降低破片率和提升划片效率,先通过 ANSYS有限元模拟得到不同划片条件下的温度场,后进行了不同条件下的激光划片实验,划片 结束之后再借助外力将电池片分割成条状。ANSYS模拟得到局部温度瞬间达到了1万多度,远 远超出了硅的沸点温度2355C。分析温度场发现随着划片功率的提高,模型表面的温度随之升
高;同时随着划片速度的增加,模型表面的最高温度逐渐降低。实验统计了2300多道分离切口, 得到不同划片的合格率,分别以功率、速度、频率为分组研究了不同分组对合格率的影响趋势, 综合考虑划片效率和成功率等因素,最终得到合格率较高的划片参数:划片速度为激光频率30kHz、 划片功率为16W、划片速度为200mm/s。对比划片前后电池片的EL图像发现激光划片并未造成 隐裂破碎缺陷。
实验验证最优的工艺参数得到划片的合格率达到97%以上,对电池条进行了EL测试,划片 成功的电池条无隐裂、碎片、断栅的缺陷,符合生产的要求。 关键词:低倍聚光,ANSYS模拟,激光划片,最优参数
万方数据
AbstractIn也e
Abstract
In也e photovoltaic industry ch凼,t11e production and exploitation of various solar products downstream upstream crystalline silicon material more perfect,and there are not much room for cost reduction in the production of battery production,we must find new ways to reduce the cost of
photovoltaic electricity industry in midstream components.Cost silicon photovoltaic modules accounted
for 26%ofthe cost,in order to reduce the cost ofphotovoltaic power,a new 10w concentration solar eell module WaS designed,the new battery semiconductor material consumption can be reduced about 50% compared to conventional battery,the battery WaS not only to retain the traditional cell module production many advantages,but improved the production process ofthe new battery haS also brought series of problems,the paper cutting process high fragmentation problem for cells research.
Due to the thickness of the cells only 200pm are prone to break.To reduce the breakage rate and enhance the dicing efficiency,first we get the temperature field under different scribing conditions by ANSYS finite element simulation,after we do the laSer scribing experiments under different conditions, after the end of the scribe and then to divide cells into str
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