模电二章.pptVIP

恒压降模型 Si管：Von≈0.7(V)（实际：0.6～0.8 V） Ge管：Von≈0.3(V) V Von，D通，通后压降为Von V Von，D止，Is≈0， 适用于 的情形， 比开关模型精度高。 恒压降模型分析法： vD=VON = 0.7V iD=(E-vD)/R=8mA 交流小信号模型 只对交流信号等效 交流电阻rd： 直流电阻RD： 一般情况下： 例:如图低电压稳压电路，已知输入为 (vi 为微 小变化电压)，求输出电压 。 解 ：① ②E =0， ③叠加交，直流量， 直流等效电路 交流等效电路 例:如图低电压稳压电路，设E=10V， R=10kΩ， vi=±1V，求ID，RD，rd， vD 。 相对电压稳定度 稳压前： 稳压后： 指数模型 适用于理论分析 5.特殊二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 稳压二极管 稳压管的符号 稳压二极管(齐纳二极管)是一种用特殊工艺制造的面结型Si半导体二极管，它利用PN结的反向击穿特性实现稳压。 DZ + 稳压管的伏安特性 稳压二极管工作在反向击穿区附近， 反向击穿电压即为稳定电压： 　　　　　VBR=-VZ 稳压管的反向击穿特性越陡，交流电阻越小，稳压特性越好。 交流电阻： 稳压管的主要参数 ①稳定电压VZ； ②最小稳定电流IZ min； ③最大稳定电流IZ max； ④交流电阻rZ； ⑤最大功耗PM：PM=IZ maxVZ ； 稳压管的模型 在IZ min≤IZ≤IZ max条件下 很小 稳压管稳压电路 稳压原理 RL不变，若 VI变大，则 VI↑→VO↑→IZ↑↑→IR↑→VR↑ VO? VI不变，若 RL变小，则 IO↑→IR↑→VR↑→VO↓→IZ↓↓→IR↓ VO? 限流电阻R的选择 设电网电压最高时整流输入电压为VI max，最低时为VI min ；负载电流IO的最小值为IO min，最大值为IO max 。 DZ的工作电流IZ应满足：IZ min≤IZ≤IZ max 当VI max和IO min，IZ的值最大： 当VI min和IO max，IZ的值最小： 发光二极管 发光二极管（ LED）由砷化镓等化合物半导体材料制成，它能将电流转化为光信号，也就是将电能转化为光能。 发光二极管工作时处于正向偏置，电子和空穴复合时会发出光子。 发光二极管符号： + - 应用：指示灯，七段式或矩阵式显示器， 光驱或光纤的光源，照明等。 七段LED显示器 半导体电路特点 一般情况下，半导体器件为非线性器件；在 特定条件下可等效为线性器件； 半导体器件的等效电路常包含受控源； 交、直流信号共存于同一电路之中； 电路常带有反馈。 常用分析方法 常使用一些工程分析方法，如： ①图解法 ②等效法 电子电路分析与设计的方法：定性分析、定量估算、实验调整相结合。 模拟电子电路与数字电子电路 电子电路分为 模拟电子电路 和 数字电子电路 联系：基本组成元件都是半导体二极管、三极管和场效应管 区别： ? 模拟电子电路 数字电子电路 工作信号 模拟量 数字量 三极管的作用 工作状态 放大元件 主要工作在放大区 开关元件 主要工作在截止区和饱和区 主要分析方法 图解法 微变等效电路法 逻辑代数 真值表、卡诺图 状态图等 学习方法 抓基本概念； 抓规律、抓思路、抓相互联系； 做好习题 ； 理论联系实际，做好实验 。 第二章 二极管及其基本电路 内容： 半导体材料 PN结及其特性 半导体二极管的伏安特性和主要参数 二极管基本电路及其分析方法 特殊二极管 1. 半导体材料 本征半导体：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)。 本征激发产生半导体中的载流子：自由电子和空穴 纯净半导体由本征激发产生的电子和空穴数目较少，故导电性很差，但对光照或温度变化很敏感。 1. 半导体材料 杂质半导体：在硅（或锗）晶体内掺入少量三阶（如硼或铟等）或五阶（如磷或砷等）元素杂质。掺入元素杂质后导电性大为增强。 杂质半导体内存在多数载流子和少数载流子。 N型半导体：掺入五阶元素杂质，多数载流子为自由电子。 P型半导体：掺入三阶元素杂质，多数载流子为空穴。 N型半导体和P型半导体均呈电中性。 2.PN结及其特性 PN结的形成：P型半导体和N型半导体的交界处，多数载 流子扩散和少数载流子的漂移形成稳定的 空间电荷层(耗