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第33卷第12期 东 北 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) Vol. 33, No. 12
2012 年 12 月 Journal of Northeastern U niversity( Natural cience) D ec. 2 0 1 2
1 1 1 2
邹祥宇, 谢宏伟 , 翟玉春 , 戴永年
( 1. , 110819;
2. , 650031)
: 11 NaF- KF
EM ICP- M
20 V, 1 073 K ,
400 min , , 50~ 150 nm ,
92% , B, P 921% 976% , 99999%
: ; NaF- KF ; ; ;
: O 645. 5; T F 123. 133 : A : 1005-3026(2012) 12- 174 1-04
Preparation of Solar Grade Silicon by Electrorefining
1 1 1 2
ZOUXiang-yu , XIEHong-wei , ZHAI Yu-chun , DAI Yong-nian
( 1. chool of Materials Metallurgy , Northeastern Universit y, henyang 110819, China; 2. Faculty of
Metallurgical and Energy Engineering, Kunming University of cience and Technology , Kunming 650031, China.
Corresponding author : ZOU Xiang-yu, E-mail: zou800403 @ gmail. com)
Abstract: Purification of metallurgical grade silicon ( M G- i) for solar grade silicon ( OG- i)
preparation w ith electrorefining in molten NaF-KF eutectic was studied. EM and ICP-M w ere
used to examine and characterize the refining products. The effects of voltage, temperature and
time on refining efficiency were analyzed and discussed. The results show that, under the refining
conditions in 1 073 K NaF-KF molten salt at 2. 0 V for 400 min, the electrolyzed products are i
w ires w ith length of several tens of micrometers and diameter of 50 nm to 150 nm. The removal
efficiency of metal impurities from M G- i can reach above 92% , w ith B and P removal
efficiencies of 92. 1% and 97. 6% respectively. The purity of r
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