近红外光官激励长余辉荧光粉的光存储性能和机理研究-材料物理与化学专业毕业论文.docx

优秀毕业论文 精品参考文献资料 分类号： 分类号： 学校代号：11845 UDC： 密级： 学 号：2111215014 广东工业大学硕士学位论文 (工学硕士) 近红外光激励长余辉荧光粉的光存储性能和 机理研究 刘海波 指导教师姓名、职称： 矍蕴教援 学科(专业)或领域名称： 挝抖物堡皇化堂 学生所属学院： 物理皇光电王程堂院 论文答辩日期： 2Q!三生主目兰Q旦 万方数据 A A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Master (Master of Engineering Science) The Optical Storage Properties and Mechanism of near lnfrared Photostimulated Persistent Luminescence ’Phosphors Candidate：Liu Haibo Supervisor：Prof．Luo Li May 201 5 School of PhysicsOpto—electronic Engineering Guangdong University of Technology Guangzhou，Guangdong，P．R．china，51 0006 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 长余辉材料是一类非常重要并且有用的荧光材料。一些长余辉材料可以被太阳 光激发，因而能在白天存储太阳光能量到夜间以发光的形式缓慢释放出所存储的能 量，在弱光照明、安全指示等领域得到了广泛的应用。有研究发现一些长余辉材料 中也可观察到光激励长余辉现象。光激励长余辉发光是用较长波长的光来激发己被 高能光子激发过的材料产生长余辉的现象。利用这种现象，可以进行文字和图像的 记忆存储，使得长余辉材料的应用从弱光照明、安全指示等扩展到光信息存储和高 能射线探测等领域。光激励长余辉材料与传统的光激励存储荧光材料的不同在于当 光激励光消失时，后者的激发随之消失，而前者的发光仍以长余辉的形式存在。这 一优势使得光激励长余辉材料在新型存储器件的制备、高能射线探测以及影像存储 等方面取代传统的光激励发光材料成为可能。近年来关于新型长余辉发光材料的光 激励发光性能研究逐渐成为研究热点。本论文采用高温固相反应法制备了绿色长余 辉材料SrAl204：Eu2+，Dy3+(SED)；SrAl204：Eu2+，Bi3+(SEB)与红色长余辉材料 ZnGa204：Cr3+(ZGC)。系统分析了三种长余辉材料的晶体结构和光学性能，着重讨论 了三种长余辉材料的光激励长余辉发光性能并采用导带复合发光能带模型对三种长 余辉材料的发光机理做出了解释。主要研究内容如下： 1)采用高温固相法合成了SED绿色长余辉荧光粉。X射线衍射结果表明样品 为单斜晶体。实验测得样品的激发峰位于360nm，源于晶体中Eu2+的4fT--．4f65d能 级跃迁。在紫外光辐照下样品发射明亮的绿光，发射峰位于515nm。余辉激发谱的 测试结果表明样品的余辉激发峰位于430nm，与荧光光谱激发峰有明显的区别。余 辉衰减曲线显示样品的余辉时间超过lh，余辉谱峰位于515nm处。热释光实验测得 样品存在两个热释光峰，浅陷阱峰位于85℃处，深陷阱温度高于400℃。用热释光 光谱测试被用来从微观上解释SED的光激励长余辉发光现象。光激励发光测试显示 样品的光激励发光激发峰位于760nm处。样品存在非常明显的光激励发光现象。实 验测试了样品的最佳信息写入与读出波长分别为430rim与760rim。 2)采用高温固相法合成了SEB绿色长余辉荧光粉，研究了过渡金属Bi掺杂对 样品余辉性能和光激励发光性能的影响。荧光光谱实验测试结果表明合成样品的激 发光谱半峰宽为300—420nm，明显宽于SED样品。曲线在200～250nm区间出现了 万方数据 广东工业大学硕士学位论文一个小的吸收峰，经验证与 广东工业大学硕士学位论文 一个小的吸收峰，经验证与Bi3+掺杂有关。在SrAl204：BP+样品中测得了Bi3+在 355nm处的发射峰。样品的余辉衰减曲线表明SEB样品存在绿色长余辉。热释光测 试结果验证样品的长余辉性能，热释峰位于92℃。光激励发光测试结果显示SEB 存在微弱的光激励发光现象，较之SED荧光的光激励发光现象明显减弱。这是由于 晶体内部的Bi3+在晶体内部的紫外特征发射阻碍了导带电子被陷阱能级俘获的几 率。 3)采用高温固相法合成了近红外长余辉材料ZGC。X射线衍射结果表明样品 为立方晶体。样品存在256 nlll，300 nlll，407 nnl，545 nnl四个激发峰，其中256 am