51单片机学习09存储扩展21.ppt

第8章 89C51单片机扩展存储器的设计 8.1 系统扩展结构 AT89C51系统并行扩展结构如图8-1所示。 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 例 要扩8片8KB的RAM 6264，如何通过74LS138把64KB空间分配给各个芯片？ 全地址译码方式：单片机输出每一个逻辑地址码对应选中一个物理存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。 如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB，如何划分呢？ 8.3 程序存储器EPROM的扩展 程序存储器通常采用只读存储器芯片，常态只读、非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中通过掩膜工艺编程。永久不可更改,适大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用专门的编程器一次性编程写入。(空白片通常全“1”) （3）可擦除可编程ROM（EPROM） 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）电可擦除可编程ROM（E2PROM、EEPROM） 电信号编程，电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 美国ATMEL公司生产的与51系列单片机兼容的产品89C2051/ 89C51/89C52/89C55，片内分别有2KB/4KB/8KB/20KB的Flash ROM，来作为EPROM使用 8.3.1 常用EPROM芯片 典型芯片是27系列产品，例如， 2764（8KB×8）、27128（16KB×8）、27256（32KB×8）、27512（64KB×8）。 “27”后面的数字表示其位存储容量(Kb)。 随着大规模集成电路技术的发展，大容量存储器芯片的产量剧增，售价不断下降，其性价比明显增高，而且由于有些厂家已停止生产小容量的芯片，使市场上某些小容量芯片的价格反而比大容量芯片还贵。 所以，在扩展程序存储器设计时，应尽量采用大容量芯片。 1.常用的EPROM芯片 27系列EPROM芯片的引脚如图8-11所示，参数见表8-4。 图8-11中的引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量来定，用来进行单元选择。 D7～D0：数据线引脚 CE*：片选输入端 OE* ：输出允许控制端 PGM*：编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp：编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端 Vcc：+5V，芯片的工作电压。 GND：数字地。 NC：无用端 3. 使用多片EPROM的扩展电路 AT89C51扩展4片27128（16KB芯片）。 表2-5 7位ASCII编码表 (B6B5B4B3B2B1B0) 重点掌握的ASCII码 用一个字节表示西文字符时，通常最高位为0。 常用字符的ASCII码。 数字：0～9：30H～39H 字母：A～Z：41H～5AH 字母：a～z：61H～7AH 空格: ： 20H 常用控制字符： 空字符 :00H = 0000 0000 B 换行控制符LF :0AH = 0000 1010 B 回车控制符CR :0DH = 0000 1101 B 删除控制符 :7FH = 0111 1111 B 注意回车与换行的差别： CR 用来控制光标回到当前行的最左端； LF 用来移动光标到下一行，而所在列不变。 * 图8-1 64K×8bit =64KB 16 16 16 8 8 8 3 2 1 按数据存储器空间扩展 A0~A15 D0~D7 WR RD PSEN P.119 64K×8bit =64KB 图8-2 AT89C51单片机扩展的片外三总线 P3.6/ P3.7/ 片外程序存储器读选通信号 P3.6/片外数据存储器写选通信号 P3.7/片外数据存储器读选通信号 74LS373 G P.120 A0~A15,输出16位地址码， 可选通216=64K个地址单元 D0~D7,传输8位数据 D Q 直通 锁存 8D透明锁存器 8 8 8 8 OE 可扩展存储容量： 64K单元×8b/单元 =64KB P.120 8.2.2 外部地址锁存器 1. 锁存器74LS373 带有三态门的8D锁存器,其引脚及内部结构如图8-7和图8-8。 89C51与74LS373的连接如图8-9所示。 图8-8 74LS373内部结构 OE* G D Q 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 × 不变 1 ×