氧化扩散CVD设备基本原理功能培训.pdfVIP

炉管设备工艺基础  氧化、扩散、LPCVD、 杨桂凯 2014.03 炉管工序工艺 氧化:热氧化SIO2膜。 扩散: B , P , As等。 LPCVD ：化学气相沉积成膜。 炉管设备简介 类别 主要包括 热氧化 干氧，湿氧， 按工艺分类 扩散 退火/磷、硼、砷掺杂 LPCVD POLY、Si3N4、TEOS 卧式炉 6英寸 管3，4 ，5，6， 7，8，9，10， 按设备分类 11，13，14，15 8英寸 管1，2 立式管 管16，(17待装机) 炉管设备简介 炉管设备简介 三管卧式炉系统 双体立式炉系统 设备简介 炉管：高温作业(300-1350度) ， 可分为以下几个部分： 组成部分 功能 控制柜 →对设备的运行进行统一控制； 装舟台： →硅片放置的区域，由控制柜控制运行 炉 体： →对硅片进行高温作业的区域，由控制 柜控制升降温 源 柜： →供应源、气的区域，由控制柜控制气 体阀门的开关。 IC中常见的SiO 生长方法： 热氧化法、淀积法 2 氧化 热氧化法概念 热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片 表面形成二氧化硅膜的方法。 热氧化目的 热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求 的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝 缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧 化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要 环节。 氧化 一、氧化层作用 用于杂质选择扩散的掩蔽膜 缓冲介质层 电容的介质材料 集成电路的隔离介质 MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 氧化 1、用于杂质选择扩散的掩蔽膜 常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远 小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂 质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅 上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口 区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅 屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。 氧化 图中蓝色线条区域为氧化层膜 SiO2 P-WLL N-WELL S(P+) 氧化 1960年二氧化硅就已被用作晶体管选