浙江省拟提名2019年度国家技术发明奖项目公示内容.PDFVIP

  浙江省拟提名 2019 年度国家技术发明奖项目公示内容 项目名称 微量掺锗直拉硅单晶技术及其应用 提名者 浙江省 提名意见: 直拉硅单晶材料是集成电路和光伏产业的基础材料，对集成电路和光伏产业的 发展起着决定性作用。然而，直拉硅单晶的研发存在着两个重要的挑战：（1） 重掺直拉单晶硅衬底材料中存在严重的晶格畸变，容易导致生长的外延层中产 生失配位错，降低集成电路的成品率和可靠性；（2）直拉单晶硅太阳电池在服 役过程中会发生严重的效率衰减的现象，造成巨大的经济损失。国际上一直没 有找到好的解决方法。项目组自 2001 年起，针对上述难题进行了近 20 年的研 究。在国际上首先提出了“有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷”的 新思路，发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列制备技术。项目进一步发明了基于 微量掺锗直拉硅单晶的微电子器件用外延、吸杂等工艺技术，实现了其在微电 子器件上的应用；还发明了微量掺锗直拉硅单晶的低光衰减、薄片化等太阳电 池相关的技术，实现其在光伏产业中的应用，形成完整的产业化技术体系。项 目自2007年起在浙江金瑞泓公司等企业实现了大规模产业化应用，形成了具有 我国特色、自主知识产权的产品，满足了国家在微电子和光伏领域对直拉硅单 晶材料的需求。该项目发明的微量掺锗直拉硅单晶技术具有完全自主知识产权， 居国际领先水平，创造了显著的经济和社会效益，推动了我国硅材料产业的技 术进步。提名该项目为国家技术发明 二等奖。   项目简介： 直拉硅单晶是集成电路和光伏产业的基础材料。集成电路是信息产业的基 石，是国家最重要的高科技产业之一，2017年我国集成电路年产值超过5400亿 元。而太阳能光伏是国际上快速发展的新能源高新技术之一，我国已经成为国 际最大的光伏材料、电池、组件生产和应用的国家，2017年产值超过4300亿元； 而其中的高效太阳电池也是利用直拉硅单晶制备的，国际市场率为30%以上。因 此直拉硅单晶的研究与开发对国民经济、科技、国防具有极其重要的意义。项 目在国际上提出“有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷”的原创新思 路，发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列技术。其主要创新点如下： (1) 发明了 微量掺锗直拉硅单晶及晶体生长系列技术，在国际上首先实现了直径100-300 mm 掺锗直拉硅单晶的生长和加工。 (2) 发明了微量掺锗直拉硅单晶的重掺、外延 和吸杂等技术，实现其在微电子产业中的应用。 (3) 发明了微量掺锗直拉硅单 晶的低光衰减、薄片化等太阳电池技术，实现了光伏产业中的应用。项目获国 家发明专利 24 项，美国发明专利 1 项；发表 SCI 论文 48 篇，并受邀在材料类 国际顶级刊物 Material Science and Engineering: R 等国际学术期刊撰写长 篇综述论文6篇；参编英文专著两部，在国际会议上做邀请报告23次。项目于 2007 年开始在浙江金瑞泓和西安隆基两家公司应用，在国际上率先规模生产 100-200mm直径微量掺锗直拉硅单晶系列产品，200mm硅片产品已经在微电子和 光伏产业得到了应用。产品满足了国家半导体产业的重大需求，推动了我国硅 材料产业的技术进步。项目获浙江省技术发明一等奖（2015年）。   客观评价： （1）教育部在杭州召开了项目鉴定会。以中科院院士郑有炓教授为组长的鉴定委员会意见 为：“该研究成果创新性强，内容丰富，意义重大，居于国际领先水平。”（2）产品经“信 息产业专用材料质量监督检验中心”检测，表明：微量掺锗直拉硅单晶的主要性能指标 （氧、 碳浓度以及少子寿命等），达到和超过国际普通直拉硅单晶的指标，完全满足微电子和光伏 器件的制造要求。（3）项目获 2015年浙江省技术发明一等奖，项目核心专利之一“一种微 量掺锗直拉硅单晶”获得国家知识产权局 2012 年“第十三届中国专利优秀奖”。（4）项目 发表微量掺锗相关 SCI 论文 48 篇，受邀在材料类国际顶级刊物 Material Science and Engineering: R等国际期刊撰写长篇综述论文 6篇；参编两部国外英文专著（各一章）；在 国际会议上做邀请报告 23次。