实验八 拟法测绘静电场.docVIP

实验八 模拟法测绘静电场 模拟法本质上是用一种易于实现、便于测量的物理状态或过程模拟不易实现、不便测量的状态和过程，要求这两种状态或过程有一一对应的两组物理量，且满足相似的数学形式及边界条件。 一般情况，模拟可分为物理模拟和数学模拟，对一些物理场的研究主要采用物理模拟(物理模拟就是保持同一物理本质的模拟)，数学模拟也是一种研究物理场的方法，它是把不同本质的物理现象或过程，用同一个数学方程来描绘。对一个稳定的物理场，若它的微分方程和边界条件一旦确定，其解是唯一的。两个不同本质的物理场如果描述它们的微分方程和边界条件相同，则它们的解也是一一对应的，只要对其中一种易于测量的场进行测绘，并得到结果，那么与它对应的另一个物理场的结果也就知道了。由于稳恒电流场易于实现测量，所以就用稳恒电流场来模拟与其具有相同数学形式的静电场。 我们还要明确，模拟法是在实验和测量难以直接进行，尤其是在理论难以计算时，采用的一种方法，它在工程设计中有着广泛的应用。 【实验目的】 本实验用稳恒电流场分别模拟长同轴圆形电缆的静电场、平行导线形成的静电场、劈尖形电极和聚焦。具体要求达到: 1、学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理场。 2、描绘出分布曲线及场量的分布特点。 3、加深对各物理场概念的理解。 4、初步学会用模拟法测量和研究二维静电场。 【实验仪器】 图1导电微晶静电场描绘仪GVZ一3型导电微晶静电场描绘仪(包括导电微晶、双层固定支架、同步探针等)，如图所示，支架采用双层式结构，上层放记录纸，下层放导电微晶。电极已直接制作在导电微晶上，并将电极引线接出到外接线柱上，电极间有电导率远小于电极且各项均匀的导电介质。接通直流电源〔10v)就可进行实验。在导电微晶和记录纸上方各有一探针，通过金属探针臂把两探针固定在同一手柄座上，两探针始终保持在同一铅垂线上。移动手柄座时，可保证两探针的运动轨迹是一样的。由导电微晶上方的探针找到待测点后，按一下记录纸上方的探针，在记录纸上留下一个对应的标记。移动同步探针在导电微晶上找出若干电位相同的点，由此便可描绘出等位线。 图1导电微晶静电场描绘仪 【实验原理】 (一)模拟长同轴圆柱形电缆的静电场 稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场，但是它们两者在一定条件下具有相似的空间分布，即两种场遵守规律在形式上相似，都可以引入电位U,电场强度，都遵守高斯定律。 对于静电场，电场强度在无源区域内满足以下积分关系： 对于稳恒电流场，电流密度矢量在无源区域内也满足类似的积分关系： 由此可见和在各自区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下，具有相同的解析解。因此，我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。 在模拟的条件上，要保证电极形状一定，电极电位不变，空间介质均匀，在任何一个考查点，均应有静电=稳恒 或 E静电=E稳恒。 下面通过具体实验来讨论这种等效性。 1、同轴电缆及其静电场分布： 如图1(a)所示，在真空中有一半径为ra的长圆柱形导体A和一内半径为rb的长圆筒形导体B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理知，在垂直于轴线的任一载面s内，都有均匀分布的辐射状电场线，这是一个与坐标Z轴无关的二维场。在二维场中，电场强度E平行于xy平面，其等位面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究S面上的电场分布即可。 图1同轴电缆及其静电场分布 由静电场中的高斯定理可知，距轴线的距离为r处(见图1b)的各点电场强度为 （1） 式中为柱面每单位长度的电荷量，半径为r的任一点与外圆柱面间的电位差为： （2） 两柱面间电位差为 （3） 代入上式，得 （4） （5） 2、同柱圆柱面电极间的电流分布 若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间充满了电导率为的不良导体，A、B与电源正负极相连接(见图2)，A, B间将形成径向电流，建立稳恒电流场，可以证明不良导体中的电场强度与原真空中的静电场Er是相等的。 取厚度为t的圆轴形同轴不良导体片为研究对象，设材料电阻率为 ()，则任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是： （6） 则半径为r到rb之间的圆柱片的电阻为： （7） 图2同轴电缆的模拟模型 总电阻为（半径ra到之间圆柱片的电阻）