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第三章 光源与光检测器;;问题的提出; 光源是光纤通信系统的关键器件，它产生光通信系统所需要的光载波，其特性的好坏直接影响光纤通信系统的性能。;光纤通信系统对光源的要求 ;需要什么样的光源;需要什么样的光源;需要什么样的光源;需要什么样的光源;需要什么样的光源;需要什么样的光源;需要什么样的光源;现用光源;半导体光源的物理基础;光量子学说;光的波粒两重性;能级;光与物质的三种作用形式;处于高能级的电子是不稳定的，在未受到外界激发的情况下，自发地跃迁到低能级，在跃迁的过程中，根据能量守恒原理，发射出一个能量为hf的光子，发射出的光子能量为两个能级之差，即 hf=E2-E1 则发射光子的频率为 f=（E2-E1）/h △E=E2-E1(禁带宽度);没有外界作用的条件下自发产生的。 发射出光子的频率决定于所跃迁的能级。 发生自发辐射的高能级不是一个，而是一系列的高能级时，辐射光子的频率，频率范围可能很宽。 对于在相同的能级差间发生的跃迁，辐射出的光子也只是频率相同，发射方向和相位是各不相同的，因此是非相干光。 例如LED发光和LD在外加小于阈值电流时。;图3.1 自发辐射;物质在外来光子的激发下，低能级上的电子吸收了外来光子的能量，而跃迁到高能级上，这个过程叫做受激吸收。 受激吸收过程必须在外来光子的激发下才会产生，外来光子的能量必须等于电子跃迁的能级之差，即E=E2-E1=hf。显然，受激跃迁的过程中，没有多余的能量放出来。 如光检测器;受激吸收; 处于高能级的电子，当受到外来光子的激发而跃迁到低能级，同时放出一个能量为hf的光子，由于这个过程是在外来光子的激发下产生的，因此叫做受激辐射。;hf12;外来光子的能量等于跃迁的能级之差 受激过程中发射出来的光子与外来光子： 频率相同、相位相同、偏振方向相同、传播方向相同，称它们是全同光子。 受激过程中发射出来的光子与外来光子是全同光子，相叠加的结果而使光增强。 这个过程使光得到放大。 受激辐射的光放大作用，是产生激光的一个重要的基础概念。如LD激光器。 ;半导体激光二极管(LD); 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。 设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。 当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 ;粒子数反转分布与光放大;粒子数反转分布与光放大; 图 3.4 半导体的能带和电子分布 (a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 ; 图3.2示出不同半导体的能带和电子分布图。根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布;P;势垒;h; 增益区的产生： 在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。 增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布，见图3.3(c)。 在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。 ;阈值条件;选频机制; 图 3.8 激光器的构成和工作原理 (a) 激光振荡； (b) 光反馈 ;选频机制;选频机制;选频机制;LD的结构;LD的结构和工作特性;同质结;异质结;半导体激光器的结构示意图 ;LD的结构;InGaAsP双异质???条形激光器示意图;双异质结的特性;;异质结LD;双异质结的特性;半导体激光器工作原理;实用LD的外形;LD的特性参数;阈值特性;;光谱特性;光谱特性; 图 3.10 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a) 直流驱动; (b) 300 Mb/s数字调制 ;转换效率;转换效率;温度特性;图 3.11 P - I曲线随温度的变化 ;时间效应;LD的发光波长;LD的发光波段;LD的发光波段;单纵模LD;半导体光源;半导体光源中心辐射波长;光学谐振腔;半导体激光器产生激光的条件 ;LD的光谱特性;LD的优点;LD的缺点;使用半导体激光器的注意事项 ;发光二极管LED;LED组成;LED的发光机理;面发光二极管SLED;边发光二极管;LED技术参数;LED的特点及应用