一种高性能cmos带隙基准源的设计与研究.doc

摘 要 PAGE I PAGE 1 摘要 在模拟及数模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A／D和D／A转换器等多种集成电路中。 随着大规模集成电路的日益复杂和精密，亦对带隙基准电压的温度稳定性提出了更高的要求。传统的带系基准电压源只能产生固定的近似1.2V的电压不能满足在低压场合的应用。电流模带隙电路采用正温度系数的电流支路(PTAT)和负温度系数的电流支路(CTAT)并联产生与温度无关的基准电流。然后让此电流在电阻上产生基准电压。电流模带隙结构可以得到任意大小的基准电压。 本次设计的低压二次温度补偿高精度带隙基准电压源使用的工艺是TSMC 0.18μm 混合模拟CMOS 工艺，输出基准电压可调节，设计预期指标：温度系数10ppm/℃，电源抑制比在低频时接近80dB，高频时也能达到45dB，电源电压范围为1.5V到2.4V。 关键词：带隙基准源；二次温度补偿；温度系数；电源抑制比 ABSTRACT PAGE II A Low-voltage and High precision CMOS bandgap referen