中位上掺杂效应研究.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 年 月 文章编号 一 一 一 中 位 上 掺 杂效应研 究 , 姜 勇 , 李 广 , 曾祥 勇 , , , , 汤 萍 孙 霞 黄 真 袁松柳 ‘ 华 中理 工 大 学物 理 系 武汉 中 国科 学院 等离子 体 物 理 研 究所 , 合 肥 摘 要 用 固态反应法制备 了具有单相 结构 的 一 二 二 系列样 品, 其结构 随 含量增 加 由立方 晶系转变为典型 的正交 晶系 零场 下输运性质实验 表 明, 在较 低掺杂量 时 , 系 统在整 个温 区 显示 半导体 型导 电特征 , 而 当掺杂量超 过 时, 系统发 生 由半导体到 金属 的 转变 , 且 转变 的温度 随掺 杂量增 加 而 移 向高温端 基 于对 实验 结果 的分析 , 就 位上 掺 杂所起 的作用进行 了初 步探讨 关 键 词 超大磁 电阻效应 双 交换作用 电荷有序化 位平均 离子 半径 中图分类号 文献标识码 引言