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第29 卷 第 10 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 10
2014 年10 月 Journal of Inorganic Materials Oct., 2014
文章编号: 1000-324X(2014)10-1073-04 DOI: 10.15541/ji
悬浮区域熔炼法制备 Ce Pr B 单晶体及其热发射性能研究
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张繁星 , 张 忻 , 张久兴 , 梁超龙 , 黄颖凯
(1．北京工业大学 材料科学与工程学院, 新型功能材料教育部重点实验室, 北京100124; 2．阿姆斯特丹大学 范德
瓦尔斯-塞曼研究所, 阿姆斯特丹1098XH)
摘 要: 以CeB6 和 PrB6 粉末为原料, 采用放电等离子烧结结合悬浮区域熔炼法成功制备了晶体质量良好的多元稀
土六硼化物 Ce Pr B (x=0.1 、0.2 、0.4)单晶体, 并系统研究了该系列单晶体(100) 晶面热电子发射性能。结果表明:
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Ce0.8Pr0.2B6 单晶(100) 晶面具有最好的热发射性能, 在1873 K, 最大电流发射密度达到66.07 A/cm , 比CeB6 单晶的
电流发射密度提高约20% 。此外, Ce Pr B 、Ce Pr B 单晶(100) 晶面的热发射电流密度分别为65.81 A/cm2 和
0.9 0.1 6 0.6 0.4 6
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65.31 A/cm 。Ce0.8Pr0.2B6 单晶(100) 晶面的逸出功最低, 为2.61 eV, 其它单晶(100) 晶面的逸出功在2.64~2.753 eV 范
围内。因此, Ce Pr B 多元稀土六硼化物单晶具有良好的发射性能和低的逸出功, 作为热阴极材料有很好的应用
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前景。
关 键 词: Ce Pr B 单晶体; 悬浮区域熔炼法; 热电子发射性能
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