核工程讲座《放射性测量培训教材之γ放射性测量与分析》课件.pptVIP

放射性测量分析培训 γ放射性测量与分析 目录 概述 测量装置 γ谱仪的主要技术指标 137Cs源的0.662MeVγ能谱 γ样品的采集与制备 谱仪的刻度 实验室γ谱仪的测量与分析 质量控制 γ谱仪的其它应用 概述 γ放射性测量与分析主要包括样品的γ谱分析与环境γ辐射监测。 γ谱分析——γ核素含量的主要分析手段，样品可以是固体、液体、生物（包括动物和植物）、空气滤膜等，分析的核素可以包括天然和人工的γ核素。 环境的γ辐射监测主要是针对环境γ辐射场的监测 测量装置 NaI(Tl)γ谱仪——同HpGe探测器相比，具有效率高，价格便宜，操作和维护较容易的优点，但存在分辨率差的缺点。如果分析的放射性核素少于5个， NaI(Tl)γ谱仪仍可以用来分析。 最简单的NaI（Tl）γ谱仪组成——NaI(Tl)探头(包括晶体、光电倍增管、前置放大器以及光密封外壳)、高压电源、放大器、多道分析器、屏蔽室 NaI（Tl）γ谱仪的使用——加上工作电压后有一段“预热”时间，预热时间至少半小时。 较复杂的γ谱仪——低本底NaI（Tl）反符合γ谱仪。 测量装置 半导体γ谱仪——探测介质是半导体材料，Ge(Li)、Si(Li)，HpGe。同NaI(Tl)γ谱仪相比，优点是分辨率高，适合复杂γ能谱的分析，缺点是探测效率低，价格昂贵，维护较困难。需要在液氮冷却下使用，Ge(Li)和Si(Li)探测器还需要在液氮下保存 典型的半导体γ谱仪——半导体探头(包括液氮冷却装置)、电源(高压电源和低压电源)、前级放大器、谱学放大器、屏蔽室、多道分析器及数据处理系统组成。 HpGeγ探头分为N型探头和P型探头两种 N型探头——探测窗比较薄，测量低能γ核素，美国CANBERRA公司生产的GR3019型探头，相对效率为30%，最低可探测能量为4keV，对122keV能量的分辨率为0.9keV。 P型探头——探测窗比较厚，最低可探测能量比N型高，美国CANBERRA公司生产的GC3519型探头，相对效率为35%，最低可探测能量为40keV，对122keV能量的分辨率为1.0keV γ谱仪的主要技术指标 能量分辨率 探测效率 峰康比 本底 γ谱仪的主要技术指标 能量分辨率——表征γ谱仪质量优劣的最重要指标，说明对能量相近的射线分辨的能力，可用全能峰的半宽度（FWHM）或相对半宽度（η）表示。 γ谱仪的主要技术指标 能量分辨率与射线能量有关 对NaI(Tl)谱仪，通常给出的是对137Cs的662keV全能峰的相对半宽度，一般可达10%左右，好的可达6-7%。对Geγ谱仪，分辨率通常用对60Co的1.33MeV全能峰的半宽度表示，典型数据是：FWHM=1.9keV。 为了说明峰的形状，通常还定义峰的十分之一宽度 TWHM。 γ谱仪的主要技术指标 影响γ谱仪分辨率的主要因素是： 在谱仪灵敏体积中产生的载流子数目的统计涨落； 探测器和电子学系统的噪声； 电子学系统的不稳定。 γ谱仪的主要技术指标 探测效率——γ光子射到探测器的灵敏体积内就可能形成一个可以记录的信号，形成信号的概率就是探测效率，它关系到测量中所花费时间和所必需的最低源强。探测效率一般分为两大类：绝对效率和本征效率。 绝对效率的定义为 本征探测效率的定义是 γ谱仪的主要技术指标 在测量γ射线强度中，为了去掉在周围物体上散射引起的计数和电子学噪声的干扰，我们通常使用的是全能峰效率，它也可以分为峰绝对效率和峰本征效率 峰绝对效率 峰本征效率 γ谱仪的主要技术指标 影响探测效率的主要因素 几何条件——对着探测器的灵敏体积发射的那个立体角内的射线 作用几率——射线到达灵敏体积后与探测介质发生相互作用。探测介质的原子序数越高，所含材料越多，探测γ射线的效率也就越高 记录效率——在探测元件中形成信号以后记录的效率 γ谱仪的主要技术指标 峰康比 峰康比是指峰中心道最大计数与康普顿坪内平均计数之比。它说明了若一个峰落在另一个谱线的康普顿坪上，是否能清晰的表现出来，即存在高能强峰时探测低能弱峰的能力。峰康比越大，峰越便于观察和分析 影响峰康比的因素主要是分辨率和峰总比，峰总比是指全能峰内的脉冲数与全谱下的脉冲数之比，它与射线能量、晶体大小、射线束是否准直以及晶体包装物质和厚度等因素有关。 γ谱仪的主要技术指标 本底 主要取决于晶体大小和屏蔽好坏。 在一般测量中，仪器的本底计数率依据一次本底测量的结果扣除即可，而对低水平放射性测量，本底涨落可能和源强差不多，因而必须仔细考虑。 137Cs源的0.662MeVγ能谱 γ样品的采集与制备 空气样品的采集与制备 气溶胶样品的采集与制备 气体样品的采集与制备 固体类样品的采集与制备 土壤样品的采集与制备 沉积物样品的