石墨烯基导电薄膜及其有机半导体二极管器件的制备与性能研究信号与信息处理专业论文.docxVIP

系统分析了硒O薄膜块体的C／O、GO尺寸、薄膜微结构以及有效还原深度等因素与rGO 系统分析了硒O薄膜块体的C／O、GO尺寸、薄膜微结构以及有效还原深度等因素与rGO 薄膜电导率之间的相互关系，同时研究了GO尺寸、薄膜厚度以及还原方法对rGO薄膜表面 形貌的影响．结果显示薄膜的电导率受C／O、GO尺寸、薄膜制备技术及有效还原深度等因 素共同影响．当保持GO尺寸、薄膜制备技术以及有效还原深度三个因素相同时，薄膜的电 导率伴随着C／O的增大而增高，并最终趋向饱和．类似地，保持其它因素不变时通过改变第 四个因素研究其对薄膜电导率的影响，发现基于大尺寸GO(~4 pm)的rGO薄膜电导率 (1．1 x105 S／m)约为小尺寸GO(~l“m)时的2倍．同时，制备技术引起的薄膜微结构差异也对 电导率有重大影响，石墨烯层层有序叠加结构的薄膜电导率比局部有序叠加结构的薄膜电 导率高出一个数量级．此外，由于有效还原深度现象的存在，整体均匀还原rGO薄膜比部 分还原薄膜具有更出色的电学性能．形貌研究发现，保持薄膜厚度相同，旋涂制备薄膜时 大尺寸GO对应rGO薄膜平整度更小．除了GO尺寸因素外，旋涂制备薄膜表面的平整度还 随厚度的增大而粗糙．在还原方法方面，由于热退火技术属于无接触还原。其薄膜表面平 整度高． 设计和制备了一种结构为rGO／P3HT：PCBM／Al聚合物电存储器件，其中首次将rGO导 电薄膜作为电极应用到有机电存储器件中，并首次将体异质结作为功能薄膜用于实现存储 功能．该器件的电流电压曲线呈现电学双稳态特性，它具有一次写入多次读取功能．该电。 存储器件具有高的开关比和低的电转换电压，它们的值取决于rGO导电电极的方块电阻． 此外，电流电压的实验与理论拟合数据表明了低导电态时呈现电荷注入限制电流特性，高 导电态时呈现欧姆电流特性．这种导电态转变是由于PCBM domain极化引起相邻domains 之间局部电场增强所致．除了引用于电存储领域，我们又将湿法制备的GO：SWNT-COOH 杂化导电薄膜作为电极应用到有机太阳能电池中，该薄膜的p型半导体性有利于解离空穴 的收集．湿法制备的Go：SwNT-CooH／PEDoT：PsS／P3HT：PCBM／Al太阳能电池的短路电流 与开路电压分别为0．627肌A／c耐2与O．52 V． 调制二极管电流电压曲线可以实现对器件功能的调控，指出了场致电荷转移与肖特摹 势垒是器件实现迟滞整流功能的策略之一．基于此，设计制备了基于后修饰的聚乙烯基咔 唑和CdTe纳米晶杂化为电活性材料的二极管，其中咔唑基和纳米晶分别为电子给体和受体． 该设计中利用聚合物纳米晶杂化产生场致电荷转移，利用同一有机半导体与不同金属电极 接触的能级差来构筑肖特基势垒．电流电压曲线显示负向电压作用时呈现明显的电导转变 及磁滞现象，电导转变前后的开关比为～103．此外，器件具有整流功能，其整流比为6，最 大整流输出电流约为5×1 O巧A．这种非对称性电导转变是场致电荷转移及肖特基势垒共同 作用的结果，它不仅可以降低交叉型存储器的误读率，而且CdTe纳米晶的化学搀杂可以实 作用的结果，它不仅可以降低交叉型存储器的误读率，而且CdTe纳米晶的化学搀杂可以实 现纳米颗粒在基体中均匀分散，有利于器件长久运行的稳定性．在此基础上，我们分别利 用柔性rGO薄膜和GO薄膜充当电极和中间功能层制备了结构为rGO／GO／A!的二极管器件． 该器件也具有迟滞与整流效应，其整流比约为3．值得注意是正反扫描时迟滞产生的低阻 态在外电场撤除后恢复到初始态，表现出了随机存储特性，拓展了GO薄膜二极管在电存储 方面的应用范围． 关键词：石墨烯；氧化石墨烯；导电薄膜；有机半导体；体异质结；太阳能电池；有机电存 储；迟滞现象；整流效应 AbstractGraphene Abstract Graphene is a promising conductive material due to its novel electrical properties， extraordinary mechanical property,flexibility,and high chemical and thermal stability, graphene—based conducting electrodes and their applications in organic optoelectronic are emerging as a new field of vital significance．Up to now,various approaches，mainly including vacuum filtration，spin coating，chemi