材料物理(李志林)简答题答案.docx

一、材料的电子理论 说明自由电子近似的基本假设。在该假设下，自由电子在一维金属晶体中如何分布？电子的波长、能量各如何分布？ 自由电子近似假设：自由电子在金属内受到一个均匀势场的作用，使电子保持在金属内部，金属中的价电子是完全自由的；自由电子的状态不符合麦克斯韦-波尔兹曼统计规律，但服从费米-狄拉克的量子统计规律。 分布：电子的势能在整个长度L内都一样，当0xL时，取U(x)=0；电子在边界处势能无穷大，即当x=0和x=L时U(x)=∞，以此建立一维势阱模型。一维势阱中自由电子运动状态满足的薛定谔方程为d2φdx2+4π2λ2φ=0，在一维晶体中的解（归一化的波函数）为：φ=1Lsin2π 近自由电子近似基本假设：点阵完整，晶体无穷大，不考虑表面效应；不考虑离子热运动对电子运动的影响；每个电子独立的在离子势场中运动，不考虑电子间的相互作用；周期势场随空间位置的变化较小，可当作微扰处理。 电子在一维周期势场中的运动薛定谔方程：d2φdx2+8π2mh2 何为K空间？K空间中的（2,2,2）和（1,1,3）两点哪个代表的能级能量高？ K空间：取波数矢量K为单位矢量建立一个坐标系统，他在正交坐标系的投影分别为Kx、Ky、Kz，这样建立的空间称为K空间。 22+22+2212+12+32，故（2,2,2）比（1,1,3）高。 何谓状态密度？三维晶体中自由电子的状态密度与电子能量是何种关系？ 状态密度：自由电子的能级密度亦称为状态密度，即单位能量范围内所容纳的自由电子数。 关系：三维，能级为E及其以下的能级状态总数为Z(E)=CE，式中C=4πV(2m) 用公式f(E) 分布：当T=0K时，若EEF，则f(E)=0，若E≤EF，则f(E)=1。当T0K时，一般有EF?kT，当E=EF，则f(E)=12；若EEF，则当E?EF时，f(E)=1；当EF-E≤kT时，f(E)1；若EEF，则当E?EF时，f(E)=0；当E-EFkT时，f(E) 说明EF0的物理意义。 为什么讨论电子能量分布时不考虑EF EF0为0K时的费米能，物理意义：绝对零度下，晶体中基态系统中被电子占据的最高能级的能量。 EF=EF01-5π 为什么温度升高，费米能反而降低？ P12 当温度升高时，因为kT增大，有更多的电子跳到EF能级以上，且电子的最高能量更高，这些电子的能量升高是金属电子热容的来源。 在布里渊区边界上电子的能量有何特点？ P17-18 在接近布里渊区边界时电子受周期性势场的影响显著，等能线向外凸出，dEdK比自由电子的小，在这个方向从一条等能线到另一条等能线的 画图说明导体、半导体、绝缘体能带结构的异同。 P21 画出自由电子近似和近自由电子近似下的E-K曲线，并说明他们的区别，解释能带的概念。 P15 另见第一题后部分 近自由电子近似下有些能量是允许电子占据的，称为允带；另外一些能量范围是禁止电子占据的，称为禁带。 二、材料的晶体形态 什么是点阵参数(晶格常数)？正方晶系和立方晶系的空间点阵特征是什么？ 晶胞的三个棱边长abc和晶轴xyz间的夹角???。 正方晶系：a=b?c，?=?=?=90°（如?-Sn，Ti2O） 立方晶系：a=b=c，?=?=?=90°（如Fe，Cr，Cu，Ag，Au） 三种典型晶胞，符号，原子数，配位数，致密度。 面心立方：fcc,4,12,74%。体心立方：bcc,2,8,68%。密排六方：hcp,6,12,74%。 从非晶体和晶体的X射线衍射特征的区别解释其结构的区别。（自己组织语言） 大体内容：晶体的X射线衍射强度在特定角度出现数个尖锐的衍射峰，即在满足布拉格条件2dsin?=nλ的角度有强衍射峰。非晶体不会在特定角度产生满足布拉格条件的衍射峰，产生的衍射峰较宽，且其衍射强度比晶体的最强衍射峰弱得 简述薄膜形核的过程和长大的过程。（自己组织语言） 形核：一般是气相原子在基底的表面聚集而成，包括吸附、凝结、临界核形成、稳定核形成等过程。入射到基体表面的气相原子被悬挂键吸引住，发生物理吸附或化学吸附，表面能降低，吸附后的原子仍可发生解吸。吸附的原子不能在基底表面稳定存在，自发形成固态的薄膜。吸附后的原子在基体表面具有水平方向的动能，使其在不同方向上进行扩散，单个原子间通过相互碰撞，凝结成原子对和更大的原子团。在满足一定热力学条件下，先生成临界核，在此基础上加一个原子就可变为稳定核。 长大：指形成稳定核后薄膜的形成过程，一般经历岛状、连并、沟道、连续膜四个阶段。分散在基底表面的大量晶核长大，直至相互接触并逐渐布满整个基底表面形成连续薄膜。 为何从球冠形晶核模型推导出的临界晶核半径与实际偏差很大？更符合实际的模型是什么样的？（自己组织语言） 原因：薄膜实际形核时临界核很小，不能形成