第1章半导体二极管及其基本电路.pptVIP

二极管图形符号、文字符号 diode D 1 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2~0.3 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 正向区分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 1.2.2 二极管的V-I特性 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 2, 反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 3. 反向击穿特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 4. 温度影响 Vth V（BR） vD/V iD/mA iD/μA 环境温度升高，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。 IF：最大整流电流 1.2.3.二极管的参数 指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 VBR：反向击穿电压 指管子反向击穿时的电压值。 一般手册上给出的最大反向工作电压约为VBR的一半。 指管子未击穿时的反向电流。其值愈小，则管子的单向导电性愈好。 温度对它影响很大，使用时应注意。 IR：反向电流 1.3.1 稳压二极管 iZ/mA vZ/V VZ ΔIZ ΔVZ V-I特性 a k ＋ － 代表符号 VZ——表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。 1.3二极管的应用电路 VI IZ IO(IL) VO 【分析】 例如：假设VI恒定，而RL减小，则有 RL↓ VZ稳压 IO↑ IZ不变 IR↑ VR↑ VI恒定 VO↓ IZ↓ IR↓ VR↓ VI恒定 VO↑ （1）应使外加电源的正极接管子的N区，电源的负极接P区，以保证稳压管工作在反向击穿区【！！！】。 （2）稳压管应与负载电阻RL并联，由于稳压管两端电压的变化量很小，因而使输出电压比较稳定。 （3）必须限制流过稳压管的电流IZ，不要超过规定值，以免因过热而烧坏管子。 【注意】 稳压管的一种实物图 黑头一侧为阴极，即k端 符号 光电传输系统 1.3.2 发光二极管 (发光) 几种普通发光二极管实物图 长脚为正极 大头为负极 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 1.3.3 光电二极管 可用来作为光的测量，是将光信号转换为电信号的常用器件。 (接收光) 补:判断D状态方法 习题1.11,1.12 开关电路（理想模型） 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 1.3.1 开关与整流电路(补) 整流电路（理想模型） （a）电路图 （b）vs和vo的波形 半波整流电路 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 在实际电路中,当电源电压远比二极管 的管压降大时,利用此法是可行的。 恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 典型值是0.7V 只有当二极管的电流iD 近似等于或大于1mA时 才是正确的。 Vth约为0.5V； * * * * * * * * * * 第1章 半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识 半导体二极管及其基本特性 二极管的基本应用电路 1.1 半导体基本知识 在自然界中，根据物质导电能力的差别，可将它们划分为导体、绝缘体和半导体。 如：金属 如：橡胶、陶瓷、塑料和石英等等 其中最典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素 典型的半导体材料 元素 硅（Si）、锗（Ge） 化合物 砷化镓（GaAs） 掺杂元素 硼（B）、磷（P） 1.1.1 半导体材料 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，当受外界光和热刺激或加入微量掺杂,导电能力显著增加。 半导体特点：