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講議大綱 流程介紹 製程原理 品質控制 異常及對策 細線路製程發展方向 結語 前 言 第一部份-流程介紹(三) 第二部分-制程原理（顯影） 曝光 第二部分-制程原理（顯影） 第三部分:品質控制(顯影) 第三部分:品質控制( 藥水 第三部分:品質控制(顯影) 第三部份:品質控制(蝕刻) 第三部份:品質控制(蝕刻) 第三部份:品質控制(蝕刻) 第三部份:品質控制(剝膜) 第四部分:異常及對策 第四部分:異常及對策 第四部分:異常及對策 第四部分:異常及對策 第五部分:結語 第五部分:結語 第五部分:結語 第五部分:結語 * * “減成法” （Tenting Etching）即保留需要的而去除不需要的加工方法;而與之對應“加成法” （additive process）即將為將需要的部分添加上去的加工方法. 目前葉界(包括PCB與FPC)絕大多數的生產仍以傳統的“減成法”為生產方式 .在“減成”的製程中,DES作為線路形成(“減成”)的關鍵製程,一直是製程中的瓶頸. DES的製程能力直接決定了全製程的製程能力。因此， 改善和提昇DES的製程能力，亦是改善和提昇全製程製程能力的前提。 第一部份-流程介紹(一) DES全流程 干膜來料 顯影 水洗 蝕刻 水洗 剝膜 水洗 化學洗 水洗 烘乾 轉CVL 第一部份-流程介紹(一) 　顯影： 顯影前段 顯影後段 水洗１ 水洗２ 吸干 冷風吹干 熱風烘干 　顯影前段：未感光干膜在此產生溶漲。 　顯影後段：未感光干膜在此被顯影液溶解帶走。 　二次水洗：防止顯影液及干膜污染板面。 　吸干：主要吸干板面水分和孔內部分水分。 　冷風吹干：主要吹脫板面水分和孔內部分水分。 　熱風烘干：烘乾板面水分和孔內水分。 第一部份-流程介紹(二) 　蝕刻： 蝕刻 水洗 　蝕刻：形成線路。 　水洗:防止蝕刻液殘留板面造成污染。 　剝膜： 剝膜 水洗 酸洗 水洗 冷風吹干 熱風烘干 　剝膜:剝去板面干膜。 　水洗:防止上流程藥液殘留板面造成污染。 　酸洗:中和剝膜鹼液。 D/F CCL PI+AD A/W or MASK UV LIGHT D/F CCL PI+AD PI+AD CCL D/F 顯影流程示意圖 顯影 蝕刻 剝暯 基材 乾膜 曝光之乾膜 銅箔 DES流程示意圖 　在前面干膜製程的介紹里我們已經了解干膜係由一種負型自由基式的聚合物組成. 未經過曝光光線照射並發生聚合反應之干膜之主要成分:Resist-COOH與顯影液的主要成分CO32－發生如下的反應: Resist-COOH + CO32－　　 HCO3－ + Resist-COO- 　　本反應實際為一種皂化作用，故於程中會產生類似肥皂狀的泡沫,未聚合之干膜中負型自由基式的聚合物溶入溶液 H20 + CO32- HCO3- + OH – 反應的平衡式為: K = [HCO3- ][OH-] / [CO32- ] PH = 14 + log｛K．[CO32- ]/ [HCO3- ]｝ 第二部分:製程原理(顯影) 為掌握顯影之品質，製程中需嚴格控制[CO32-]/[HCO3-]的濃度比值(PH值控制)，以得最佳之線路顯影效果,亦即可以通過控制PH值進而控制顯影之效果. 生產中所需的CO32-通常由Na2CO3來提供, 並通過更換槽液來維持顯影液中的[CO32-]/[HCO3-]濃度比值——這也是我們生產中保持每生產固定量產品需換槽的原因. 當然,隨著工藝的更新, 以的K2CO3代替 Na2CO3用于顯影也逐步為行業所接受. K2CO3顯影相對於 Na2CO3有著許多優點, 在顯影品質上和操作上均較Na2CO3容易控制, 以K2CO3顯影容易完成顯影液的自動添加.但是在生產成本上K2CO3顯影高于Na2CO3顯影. 第二部分:製程原理(顯影) K2CO3與 Na2CO3比較如下： 對照項目 K2CO3自動添加 Na2CO3 控制添加方式 以PH值自動控制 依照生產板數換槽控制 顯影點 固定60~62% 變動48~60% 配槽 濃縮液體 粉末 主槽配槽頻率 1次/5000m2 90次/1個月 添加槽配槽頻率 每月45次 每月180次 清槽頻率 5000m21次 每月多次 停線管理 每5000m22～4小時 45小時以上每月 槽液管理 每周校正一次方便管理 因配置當槽次數多,變數大 粘稠懸浮物及硬水污垢 沒有 許多 軟水 減少到1/