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* * 微电子工艺原理与技术 李 金 华 第八章 光 刻 胶 第三篇 单项工艺2 主要内容 光刻胶的类型； 2. DQN正胶的典型反应； 3. 对比度曲线； 4. 临界调制函数 5. 光刻胶的涂敷和显影； 6. 二级曝光效应； 先进光刻胶和光刻工艺。 1. 光刻胶的类型 光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为光刻胶。 酚醛树脂基化合物是IC制造中最常用的光刻胶的主要成分。胶中通常有三种成分，即树脂或基体材料、感光化合物（PAC）、溶剂。PAC是抑制剂，感光前，抑制光刻胶在显影液中的溶解。感光后，起化学反应，增加了胶的溶解速度。 光刻胶分正胶和负胶。 正胶：曝光区在显影后溶化，非曝光区留下。 负胶：曝光区在显影后留下，非曝光区在显影液中溶解。 光刻胶的两个基本性能为灵敏度和分辨率。 灵敏度是指发生上述化学变化所需的光能量（J/cm2）。灵敏度越高，曝光过程越快，所需曝光时间越短。分辨率是指排除光刻设备影响，能在光刻胶上再现的最小特征尺寸。 正胶和负胶 光刻胶是长链聚合物，正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用，使长链变短，使聚合物更容易在显影液中溶解。负胶在曝光后，使聚合物发生交联，在显影液中溶解变慢。 苯芳香族环烃 苯环：六个排列成平面六角的C原子组成，每个C原子分别与一个H原子结合。 甲苯 氯苯 萘 苯环 聚乙烯 支链聚合物 交联 2.DQN正胶的典型反应 目前，常用的正胶DQN是由感光剂DQ和基体材料N组成。它适合于436nm的g 线和365nm的i 线曝光，不能用于极短波长的曝光。基体材料N是酚醛树脂，它是一种聚合物，单体是一个带有两个甲基和一个OH的芳香环烃组成。酚醛树脂易于溶解在含水溶液中。正胶的溶剂通常是芳香烃化合物的组合，如二甲苯和各种醋酸盐。正胶的感光剂（PAC）是重氮醌（DQ）。它作为抑制剂，以十倍或更大的倍数降低光刻胶在显影液中的溶解速度。曝光后，UV光子使氮分子脱离碳环，留下一个高活性的碳位。为使结构稳定，环内的一个碳原子将移到环外，氧原子将与它形成共价键，实现重组，成为乙烯酮。在有水的情况下，环与外部碳原子间的双化学键被一个单键和一个OH基替代，最终形成羟酸。羟酸易于溶解在显影液中，直到曝过光的正胶全部去除，而未曝光的正胶则全部保留。 正胶的感光剂、基体结构 正胶的基体材料：偏甲氧基酚醛树脂 正胶的感光剂：重氮醌（DQ） 正胶的感光反应 负胶的成分和感光反应 负胶为包含聚乙烯肉桂衍生物或环化橡胶衍生物双键的聚合物。典型的负胶是叠氮感光胶，如环化聚异戊二烯。在负胶曝光时，产生大量的交联聚合，成为互相连接的大树脂分子，很难在显影液中溶解。从而负胶的曝光部分在显影后保留。而未曝光部分则在显影时去除。 正胶与负胶的性能比较： 显影液不易进入正胶的未曝光部分，正胶光刻后线条不变形。显影液会使负胶膨胀，线条变宽。虽然烘烤后能收缩，但易变形。所以负胶不适合2.0微米以下工艺使用。正胶是ULSI的主要光刻胶。 正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用HMDS作增粘处理。负胶对衬底粘附好，针孔密度较高。 3. 正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。 两种光刻胶的性能 显影液： 正胶：典型的正胶显影液为碱性水溶液，如： 25%的四甲 基氢氧化氨[TWAH--NH4（OH）4] 水溶液。 负胶：典型的负胶显影液为二甲苯。 正胶和负胶的工艺温度： 正胶 前烘：90°C，20分；坚膜：130 °C，30分。 负胶 前烘：85 °C，10分；坚膜：140 °C，30分； 过高的前烘温度，将会使光刻胶的光敏剂失效。 两种光刻胶的性能 3. 对比度曲线 用对比度来描述光刻胶的曝光性能，即区分掩模上亮区 和暗区能力的衡量标准。用D0表示光刻胶开始光化学反应 的曝光能量，D100 表示所有光刻胶完全去除需要的最低曝光 量。对比度定义为： 对比度越大，光刻后的线条边缘越陡。典型的光刻胶的对比度在2-4。意味着D100比D0大101/3-101/2倍.其实，对一定的光刻胶，对比度曲线并不固定，它随显影过程、前烘条件、曝光波长、圆片表面的反射率等情况改变。光刻工艺的任务就是调节工艺条件，使一定的光刻胶具有最大的、最稳定的对比度。 理想的对比度曲线 DQN正胶的实测对比度曲线 1、2、3s 曝光后的剖面分布 简单的区域图象 光刻胶的吸收 在低曝光剂量，光刻胶的剖面分布主要决定于对比度曲线的低曝光区和过渡区。当曝光剂量大于150J