一维纳米半导体材料及其电子与光子器件研究.DOC

论文中英文摘要 作者姓名：马仁敏 论文题目：一维纳米半导体材料及其电子与光子器件研究 作者简介：马仁敏，男，1982年12月出生。2004年7月毕业于北京科技大学，获得学士学位。2009年7月毕业于北京大学，获博士学位。指导教师：戴伦教授。 中 文 摘 要 CdS是一种非常重要的半导体材料，其纳米结构在纳电子器件和光子器件等领域有着广泛的应用。本论文以CdS为代表，通过实验考察与理论分析，深入地研究了一维纳米材料的可控生长和掺杂、高性能纳电子器件的设计与性能提高、纳米线/硅异质结高效率电致发光和纳米线耦合微腔的光学特性等。主要创新成果如下： 1. 利用气相金属铟对CdS纳米线(带)进行原位掺杂并对其结构、光学和电学性质进行了表征。结果显示生长的CdS纳米线(带)具有单晶结构和优异的光学性质，其荧光谱只有半高宽仅为11纳米的带边峰，没有缺陷发光峰；电学表征结果显示In作为浅施主已成功掺入到CdS纳米线(带)中，其电阻率可由未掺杂的104 Ω?cm降低到约3.72 Ω?cm，而且通过控制In 源的含量，可以进一步调控CdS 纳米线(带)中的电子浓度。掺杂样品载流子迁移率约为~100-350 cm2/V?s，非常接近体单晶CdS材料的电子迁移率340 cm2/V?s。 2. 采用Si (111)衬底生长出平行于衬底的CdS纳米线网络。提出了异质外延和同质外延两步法的生长机制。在理解该生长机制的基础上，使用解理的正三角形Si (111) 衬底,生长出的CdS纳米线六个对称的生长方向1120与正三角形的Si (111)衬底的三条边对应垂直, 从而实现了宏观取向可预定的纳米线网络的生长。光学表征显示 3. 通过控制CdS纳米带中的电子浓度到约5×1016 cm-3, 并选择合适的金属电极，在同一根 CdS纳米带上同时实现了良好的欧姆接触和肖特基接触，在此基础上研制成功高性能Au/CdS纳米带肖特基二极管。该二极管具有接近于1的理想因子(~1.14)、极高的整流比(108)、极小的反向漏电流密度(3.010–5 A?cm-2, ?10V偏压下)和很高的反向击穿电压(?40 V)。这些二极管重要指标在已报道的各种一维纳米材料二极管中处于国际最高水平。 4. 首次报道了CdS纳米带金属-半导体场效应晶体管(MESFET)。相对于纳米线(带) 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MOSFET)而言，纳米线(带)MESFET不需要栅极绝缘介质，从而使其制备工艺简化、成本降低，更为重要的是其栅极与沟道之间有更好的电容耦合，使该器件可以有更大的电压和功率增益。所制备的CdS纳米带MESFET的开关比、阈值电压、跨导、亚阈值摆幅等晶体管重要指标在已报道的纳米场效应晶体管中处于国际最高水平。 5. 增强型晶体管具有高速低功耗的特点，在现在的微电子工艺中被广泛采用。但纳米线(带)基的增强型晶体管在制备上却很困难。本文作者首次实现了低功耗增强型纳米线MESFET，并将该方法推广到其它纳米材料上。 6. 首次提出带有附加肖特基接触的纳米线(带)MOSFET新结构器件，并从实验上证明利用附加的肖特基势垒产生的沟道窄化效应可以使CdS纳米线(带)MOSFET阈值电压大幅减小，跨导大幅增加。随后又与本组其他同学合作将这一方法推广到其它纳米材料上，实现了背栅n沟道ZnO纳米线和p沟道Zn3P2纳米线增强型MOSFET。这些低阈值电压、高跨导的纳米线(带)晶体管有助于实现低电压、高增益纳米线逻辑电路。 7. 首次在单根纳米线上构建了基于MESFET的n沟道金属-半导体(NMES)反相器。首先在单根纳米线上构建两个高性能的MESFET，此种纳米线晶体管具有高开关比(~107), 小阈值电压(~ ?0.4V)，达到了理论极限的亚阈值摆幅(60 mV/dec)。然后利用这两个晶体管构建了高性能的NMES反相器，与构建在纳米线MOSFET上的反相器相比，这种类型的反相器具有更高的电压增益，且不需要绝缘层，制备工艺简单。制备的反相器具有高达83的电压增益，为报道时一维纳米材料反相器最高的增益值。在此基础上还构建了纳米线“与非”门，“或非”门逻辑电路。 8. 制备成功纳米线互补型金属-半导体(CMES)反相器。利用电场排布的方法在单根n型CdS纳米线旁边排列单根p型Zn3P2纳米线，制备成功了CMES纳米线反相器。在供给电压为0.5 V时，该反相器操作电压约为1.5 V、电压增益为10、静态功耗低至0.025 nW。还利用带有附加肖特基接触的新型纳米线MOSFET制备了互补型金属-绝缘体-半导体(CMOS)反相器。由于顶肖特基接触大幅降低了n沟道和p沟道纳米线MOSFETs的阈值电压，使其操作电压从原先大于10 V，降低到3 V左右。在供给电压为1 V时，该反相器操作电压约为