沟槽栅低压功率mosfet的发展（上）摘要abstrac资料.pdfVIP

沟槽栅低压功率 MOSFET 的发展（上） ――减小漏源通态电阻 Rds（on） 吴晓鹏，张娜 北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室 摘要 近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压 MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本 文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻 R （ ）方面的技术发展， ds on 下篇着重于降低优值 FOM 方面的技术发展。 关键词： MOSFET ，通态电阻，FOM The Development of Low-voltage Trench Gate Power MOSFETs （Part I ） --Red